10N120BN Datasheet(PDF)

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10N120BN Datasheet (PDF) - Intersil Corporation


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Fabricante Electrónico	INTERSIL [Intersil Corporation]

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Descripción Electrónicos

35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

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10N120BN Detalles de producto

The HGTG10N120BN, HGTP10N120BN and HGT1S10N120BNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low onstate conduction loss of a bipolar transistor.

Features
• 35A, 1200V, TC = 25oC
• 1200V Switching SOA Capability
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150oC
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Avalanche Rated
• Thermal Impedance SPICE Model
   Temperature Compensating SABER™ Model
   www.intersil.com
• Related Literature
   - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
      Components to PC Boards

Número de pieza similar - 10N120BN

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Fairchild Semiconductor	10N120BN	217Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
Fairchild Semiconductor	10N120BND	110Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Intersil Corporation	10N120BND	82Kb / 7P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000

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Descripción similar - 10N120BN

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Fairchild Semiconductor	HGTG10N120BN	217Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
Fairchild Semiconductor	HGTG10N120BND	110Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Intersil Corporation	HGTD1N120BNS	71Kb / 7P	5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT January 2000
	HGTD2N120CNS	89Kb / 7P	13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT January 2000
	HGTG10N120BND	82Kb / 7P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
	HGTG27N120BN	82Kb / 7P	72A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT January 2000
Fairchild Semiconductor	HGTG30N120CN	113Kb / 8P	75A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
	HGT1S10N120BNST	201Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
	HGTD1N120BNS9A	96Kb / 8P	5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
Unisonic Technologies	UG1N120	290Kb / 3P	1200V NPT SERIES N-CHANNEL IGBT

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Acerca de Intersil Corporation

Intersil Corporation era una compañía de semiconductores estadounidenses que se especializó en el diseño y fabricación de circuitos integrados analógicos y de señal mixta de alto rendimiento.
La compañía fue fundada en 1967 y era conocida por su experiencia en gestión de energía, conversión de datos y tecnologías de radiofrecuencia (RF).
Los productos de Intersil se utilizaron en una amplia gama de aplicaciones, como la electrónica de consumo, industrial, telecomunicaciones y aeroespacial y defensa.
En 2016, Intersil fue adquirido por Renesas Electronics Corporation, una empresa de semiconductores japoneses.
La marca y la tecnología Intersil continúan desarrollándose y vendiendo como parte de la cartera de productos de Renesas.

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