CDP1821CD3 Datasheet(PDF)

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CDP1821CD3 Datasheet (PDF) - Intersil Corporation


No. de pieza	CDP1821CD3

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Fabricante Electrónico	INTERSIL [Intersil Corporation]

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Descripción Electrónicos

High-Reliability CMOS 1024-Word x 1-Bit Static RAM

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CDP1821CD3 Datasheet (HTML) - Intersil Corporation

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CDP1821CD3 Detalles de producto

Description
The CDP1821C/3 is a 1024-word x 1-bit CMOS silicon-on-sapphire (SOS), fully static, random-access memory designed for use in CDP1800 microprocessor systems. This device has a recommended operating voltage range of 4V to 6.5V

Features
• Static CMOS Silicon-On-Sapphire Circuitry CD4000-Series Compatible
• Compatible with CDP1800-Series Microprocessors at Maximum Speed
• Fast Access Time. . . . . . . . . . . 100ns Typ. at VDD = 5V
• Single Voltage Supply
• No Precharge or External Clocks Required
• Low Quiescent and Operating Power
• Separate Data Inputs and Outputs
• High Noise Immunity . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30% of VDD
• Memory Retention for Standby Battery Voltage Down to 2V at +25°C
• Latch-Up-Free Transient-Radiation Tolerance

Número de pieza similar - CDP1821CD3

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Intersil Corporation	CDP1822	45Kb / 8P	256-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
	CDP1822	169Kb / 9P	256-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
	CDP1822C	45Kb / 8P	256-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
	CDP1822C	27Kb / 5P	High-Reliability CMOS 256-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
	CDP1822C	169Kb / 9P	256-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997

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Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Intersil Corporation	CDP1822C	27Kb / 5P	High-Reliability CMOS 256-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
	CDP1823C	28Kb / 6P	High-Reliability CMOS 128-Word x 8-Bit Static RAM March 1997
	MWS5114	29Kb / 7P	1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
Hitachi Semiconductor	HM6267	327Kb / 7P	16384-word x 1-bit High Speed CMOS Static RAM
	HM6147H	354Kb / 7P	4096-word x 1-bit High Speed CMOS Static RAM
	HM6148HLP	265Kb / 5P	1024-word x 4-bit High Speed Static CMOS RAM
Intersil Corporation	MWS5114	113Kb / 8P	1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
Toshiba Semiconductor	TC551402J	347Kb / 6P	4,194,304 WORD x 1 BIT/1,048,576 WORD x 4 BIT CMOS STATIC RAM
	TC5561P	616Kb / 6P	65,536 WORD X 1 BIT CMOS STATIC RAM
	TC5562P	597Kb / 6P	65,536 WORD X 1 BIT CMOS STATIC RAM

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Acerca de Intersil Corporation

Intersil Corporation era una compañía de semiconductores estadounidenses que se especializó en el diseño y fabricación de circuitos integrados analógicos y de señal mixta de alto rendimiento.
La compañía fue fundada en 1967 y era conocida por su experiencia en gestión de energía, conversión de datos y tecnologías de radiofrecuencia (RF).
Los productos de Intersil se utilizaron en una amplia gama de aplicaciones, como la electrónica de consumo, industrial, telecomunicaciones y aeroespacial y defensa.
En 2016, Intersil fue adquirido por Renesas Electronics Corporation, una empresa de semiconductores japoneses.
La marca y la tecnología Intersil continúan desarrollándose y vendiendo como parte de la cartera de productos de Renesas.

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