ACTS10MS Datasheet(PDF)

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ACTS10MS Datasheet (PDF) - Intersil Corporation


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Fabricante Electrónico	INTERSIL [Intersil Corporation]

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Radiation Hardened Triple Three-Input NAND Gate

ACTS10MS Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrónico	INTERSIL [Intersil Corporation]

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Descripción Electrónicos	Radiation Hardened Triple Three-Input NAND Gate

ACTS10MS Datasheet (HTML) - Intersil Corporation

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ACTS10MS Detalles de producto

Description
The Intersil ACTS10MS is a radiation hardened triple three-input NAND gate. A high on all inputs forces the output to a low state.
The ACTS10MS utilizes advanced CMOS/SOS technology to achieve high-speed operation. This device is a member of the radiation hardened, high-speed, CMOS/SOS Logic Family.

Features
• 1.25 Micron Radiation Hardened SOS CMOS
• Total Dose 300K RAD (Si)
• Single Event Upset (SEU) Immunity <1 x 10-10 Errors/Bit-Day (Typ)
• SEU LET Threshold >80 MEV-cm2/mg
• Dose Rate Upset >1011 RAD (Si)/s, 20ns Pulse
• Latch-Up Free Under Any Conditions
• Military Temperature Range: -55°C to +125°C
• Significant Power Reduction Compared to ALSTTL Logic
• DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V
• Input Logic Levels
- VIL = 0.8V Max
- VIH = VCC/2V Min
• Input Current ≤1µA at VOL, VOH

Número de pieza similar - ACTS10MS

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Intersil Corporation	ACTS112D	237Kb / 3P	Radiation Hardened Dual J-K Flip-Flop January 1996
	ACTS112HMSR	237Kb / 3P	Radiation Hardened Dual J-K Flip-Flop January 1996
	ACTS112K	237Kb / 3P	Radiation Hardened Dual J-K Flip-Flop January 1996
	ACTS112MS	237Kb / 3P	Radiation Hardened Dual J-K Flip-Flop January 1996
	ACTS125D	42Kb / 4P	Radiation Hardened Quad Buffer, Three-State January 1996

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Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
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	ACS30MS	38Kb / 2P	Radiation Hardened 8-Input NAND Gate July 1999
	ACTS00MS	85Kb / 8P	Radiation Hardened Quad 2-Input NAND Gate April 1995
	HCS10MS	181Kb / 8P	Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate September 1995
	HCTS10MS	147Kb / 9P	Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate September 1995
	HCTS30MS	134Kb / 10P	Radiation Hardened 8-Input NAND Gate August 1995
Texas Instruments	SN54AC00-SP	103Kb / 8P	Radiation Hardened Quad 2 Input NAND Gate
Renesas Technology Corp	HCS10MS	389Kb / 8P	Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate September 1995
	HCTS00MS	640Kb / 8P	Radiation Hardened Quad2-Input NAND Gate August 1995
	HCTS30MS	391Kb / 9P	Radiation Hardened 8-Input NAND Gate August 1995

More results

Acerca de Intersil Corporation

Intersil Corporation era una compañía de semiconductores estadounidenses que se especializó en el diseño y fabricación de circuitos integrados analógicos y de señal mixta de alto rendimiento.
La compañía fue fundada en 1967 y era conocida por su experiencia en gestión de energía, conversión de datos y tecnologías de radiofrecuencia (RF).
Los productos de Intersil se utilizaron en una amplia gama de aplicaciones, como la electrónica de consumo, industrial, telecomunicaciones y aeroespacial y defensa.
En 2016, Intersil fue adquirido por Renesas Electronics Corporation, una empresa de semiconductores japoneses.
La marca y la tecnología Intersil continúan desarrollándose y vendiendo como parte de la cartera de productos de Renesas.

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