NX7460LE Datasheet(PDF) - NEC

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NX7460LE Datasheet (PDF) - NEC

NX7460LE Datasheet PDF - NEC


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Fabricante Electrónico	NEC [NEC]

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1 480 nm EDFA APPLICATION InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH LASER DIODE MODULE

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Descripción Electrónicos	1 480 nm EDFA APPLICATION InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH LASER DIODE MODULE

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NX7460LE Detalles de producto

DESCRIPTION
The NX7460LE is a 1 480 nm pumping laser diode module with optical isolator for an EDFA (Er Doped optical Fiber Amplifier) that can expand the transmission span and compensate optical losses. It has a strained Multiple Quantum Well (st-MQW) DC-PBH laser diode that features high output power, high efficiency, and stable fundamental mode.

FEATURES
• InGaAsP strained MQW DC-PBH laser diode
• High output power Pf = 120 mW MIN. @ IF = 550 mA CW
• Internal optical isolator, thermoelectric cooler and InGaAs monitor photo diode
• Hermetically sealed 14-pin butterfly package
• Single mode fiber pigtail
• Wide operating temperature range TC = 0 to +65 °C

Número de pieza similar - NX7460LE

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
NEC	NX7460LE	65Kb / 12P	InGaAsP STRAINED DC-PBH LASER DIODE MODULE 1 625 nm TELEMETRY APPLICATION
NEC	NX7460LE	97Kb / 12P	1 510 nm OPTICAL FIBER COMMUNICATIONS InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH LASER DIODE MODULE
Renesas Technology Corp	NX7460LE	207Kb / 10P	LASER DIODE 2001
	NX7460LE-BA	207Kb / 10P	LASER DIODE 2001
	NX7460LE-CA	207Kb / 10P	LASER DIODE 2001

Descripción similar - NX7460LE

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
NEC	NDL7514P	28Kb / 2P	1310 nm InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE
	NX7660JC	65Kb / 12P	InGaAsP STRAINED DC-PBH LASER DIODE MODULE 1 625 nm TELEMETRY APPLICATION
	NDL7513P	63Kb / 8P	InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION
	NDL7514P	63Kb / 8P	InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION
	NDL7553P	29Kb / 3P	InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE FOR 1550 nm OTDR APPLICATION
	NDL7513P	29Kb / 3P	InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE FOR 1310 nm OTDR APPLICATION
	NDL7553P	66Kb / 8P	InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1550nm OTDR APPLICATION
	NDL7563P	61Kb / 8P	InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1550nm OTDR APPLICATION
	NDL7564P	60Kb / 8P	InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1550nm OTDR APPLICATION
	NDL7503P	60Kb / 8P	InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION

Acerca de NEC

NEC Corporation es una empresa japonesa de tecnología de la información y electrónica multinacional. La compañía fue fundada en 1899 y tiene su sede en Tokio, Japón. NEC proporciona una amplia gama de productos y servicios, incluidas tecnología de la información, telecomunicaciones y electrónica. Su cartera incluye hardware de computadora, software y servicios, soluciones de red, soluciones de pantalla y servidores empresariales y soluciones de almacenamiento.

NEC es conocido por su experiencia en el campo de la tecnología de la información y su capacidad para ofrecer productos y servicios innovadores y de alta calidad. La compañía tiene operaciones e instalaciones en varios países de todo el mundo y tiene una fuerte presencia en la región de Asia y el Pacífico. NEC trabaja en estrecha colaboración con sus clientes para proporcionar soluciones personalizadas que cumplan con sus requisitos y necesidades específicas.

Además de su negocio principal, NEC también está activo en los campos de la investigación y el desarrollo, y participa en diversos proyectos relacionados con tecnologías avanzadas como la inteligencia artificial, las redes 5G e Internet de las cosas (IoT). NEC se compromete a ofrecer soluciones sostenibles que apoyen el desarrollo de la sociedad y mejoren la calidad de vida de las personas de todo el mundo.

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