IRF442 Datasheet(PDF) - New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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IRF442 Detalles de producto

FEATURES
• Low Boston) at high voltage
• Improved Inductive ruggedness
• Excellent high voltage stability
• Fast switching times
• Rugged polyslllcon gate cell structure
• Low Input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved high temperature reliability
• TO-3 package (High voltage)

Número de pieza similar - IRF442

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Samsung semiconductor	IRF442	211Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Fairchild Semiconductor	IRF442	150Kb / 5P	N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V
Inchange Semiconductor ...	IRF442	49Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF442	271Kb / 5P	N-Channel Power MOSFETs

Descripción similar - IRF442

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Samsung semiconductor	IRF130	211Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
	IRF140	211Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
	IRF530	354Kb / 6P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
	IRFP250	518Kb / 7P	N-Channel Power Mosfets
	SSH5N90	264Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
	SSS7N60	280Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
	IRFZ45	197Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
New Jersey Semi-Conduct...	2N6769	89Kb / 2P	N-Channel Power MOSFETs,
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF340	345Kb / 5P	N-Channel Power MOSFETs
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF420	381Kb / 5P	N-Channel Power MOSFETs

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