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GP200MHS12 Datasheet (PDF) - Dynex Semiconductor
GP200MHS12 Datasheet PDF - Dynex Semiconductor
No. de pieza GP200MHS12
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Fabricante Electrónico  DYNEX [Dynex Semiconductor]
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Logo DYNEX - Dynex Semiconductor
Descripción Electrónicos Half Bridge IGBT Module

GP200MHS12 Datasheet (PDF)

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Descripción Electrónicos Half Bridge IGBT Module

GP200MHS12 Datasheet (HTML) - Dynex Semiconductor


GP200MHS12 Detalles de producto

The Powerline range of high power modules includes half bridge and single switch configurations covering voltages from 600V to 3300V and currents up to 4800A.
The GP200MHS12 is a half bridge 1200V, n channel enhancement mode, insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. The IGBT has a wide reverse bias safe operating area (RBSOA) ensuring reliability in demanding applications.

FEATURES
■ Non Punch Through Silicon
■ Isolated Copper Baseplate
■ Low Inductance Internal Construction

APPLICATIONS
■ High Power Inverters
■ Motor Controllers
■ Induction Heating
■ Resonant Converters




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Acerca de Dynex Semiconductor

Dynex Semiconductor era una empresa británica especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de alta potencia.
La compañía fue fundada en 1967 y tuvo sede en Lincoln, Inglaterra.
Dynex era conocido por su experiencia en tecnología de semiconductores de alta potencia y su capacidad para ofrecer dispositivos de energía diseñados a medida para diversas aplicaciones, como la conversión de energía, el control del motor y los sistemas de energía renovable.
En 2015, Dynex fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de sistemas de potencia y sensor.
La marca Dynex ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




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