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GP1200ESM33 Datasheet (PDF) - Dynex Semiconductor
GP1200ESM33 Datasheet PDF - Dynex Semiconductor
No. de pieza GP1200ESM33
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Fabricante Electrónico  DYNEX [Dynex Semiconductor]
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Descripción Electrónicos High Reliability Single Switch IGBT Module Advance Information

GP1200ESM33 Datasheet (PDF)

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GP1200ESM33 Datasheet (HTML) - Dynex Semiconductor


GP1200ESM33 Detalles de producto

The Powerline range of high power modules includes dual and single switch configurations covering voltages from 1200V to 3300V and currents up to 4800A.
The GP1200ESM33 is a single switch 3300V, n channel enhancement mode, insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. The IGBT has a wide reverse bias safe operating area (RBSOA) ensuring reliability in demanding applications. This device is optimised for traction drives and other applications requiring high thermal cycling capability or very high reliability.

FEATURES
■ High Thermal Cycling Capability
■ Non Punch Through Silicon
■ Isolated MMC Base with AlN Substrates

APPLICATIONS
■ High Reliability Inverters
■ Motor Controllers
■ Traction Drives
■ Resonant Converters




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Acerca de Dynex Semiconductor

Dynex Semiconductor era una empresa británica especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de alta potencia.
La compañía fue fundada en 1967 y tuvo sede en Lincoln, Inglaterra.
Dynex era conocido por su experiencia en tecnología de semiconductores de alta potencia y su capacidad para ofrecer dispositivos de energía diseñados a medida para diversas aplicaciones, como la conversión de energía, el control del motor y los sistemas de energía renovable.
En 2015, Dynex fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de sistemas de potencia y sensor.
La marca Dynex ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




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