2N7002T Datasheet(PDF) - Diodes Incorporated

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2N7002T Datasheet (PDF) - Diodes Incorporated

2N7002T Datasheet PDF - Diodes Incorporated


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Fabricante Electrónico	DIODES [Diodes Incorporated]

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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Descripción Electrónicos	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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2N7002T Detalles de producto

Description and Applications
This new generation MOSFET has been designed to minimize the on state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management
applications.

• DC-DC Converters
• Power management functions
• Battery Operated Systems and Solid-State Relays
• Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays Memories, Transistors, etc

Features
•Low On-Resistance
• Low Gate Threshold Voltage
• Low Input Capacitance
• Fast Switching Speed
• Low Input/Output Leakage
• Ultra-Small Surface Mount Package
• Totally Lead Free, Full RoHS Compliant
• Halogen and Antimony Free. "Green" Device
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Mechanical Data
•Case: SOT523
• Case Material: Molded Plastic.“Green” Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0
• Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
• Terminals: Matte Tin Finish annealed over Alloy 42 leadframe (Lead Free Plating). Solderable per MIL-STD-202, Method 208
• Terminal Connections: See Diagram
• Weight: 0.002 grams (approximate)

Número de pieza similar - 2N7002T

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Diodes Incorporated	2N7002T	447Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30301 Rev. 8 - 2
Galaxy Semi-Conductor H...	2N7002T	189Kb / 4P	Small Signal MOSFET Transistor
TRANSYS Electronics Lim...	2N7002T	156Kb / 2P	Plastic-Encapsulated Transistors
Fairchild Semiconductor	2N7002T	333Kb / 6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002T	121Kb / 3P	Small Signal MOSFET

Descripción similar - 2N7002T

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
NXP Semiconductors	PHD83N03LT	282Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 July 2001
	PHP112N06T	262Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-07 March 2001
	PHP47NQ10T	267Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 May 2001
	PHP78NQ03LT	292Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-14 November 2001
	SI4410DY	266Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02-05 July 2001
	SI4416DY	253Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-05 June 2001
	SI4420DY	254Kb / 12P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-28 May 2001
	SI9956DY	253Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 July 2001
Fairchild Semiconductor	FDC633N	278Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild Semiconductor	FDT459N	89Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Acerca de Diodes Incorporated

Diodos Incorporated es una empresa que cotiza en bolsa que diseña, fabrica y proporciona una amplia gama de semiconductores de señal mixtos, analógicos y de señal mixto y soluciones de energía completas.
La compañía fue fundada en 1964 y tiene su sede en Plano, Texas.
Opera a nivel mundial con centros de ventas, soporte y diseño en América del Norte, Europa y Asia.
Diodos Incorporated sirve a una variedad de industrias, que incluyen automotriz, comunicaciones, computación, consumidores e industriales.
La compañía ofrece una amplia gama de productos, incluidos diodos, rectificadores, transistores, reguladores de voltaje, MOSFET, conductores LED y dispositivos de protección, entre otros.
La misión de la compañía es proporcionar a los clientes productos de alta calidad y alta confiabilidad y un excelente servicio al cliente.
Con un enfoque en la innovación y la satisfacción del cliente, Diodos Incorporated se compromete a convertirse en un proveedor líder de soluciones de gestión de energía.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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