MTY10N100E Datasheet(PDF) - Motorola, Inc

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MTY10N100E Datasheet (PDF) - Motorola, Inc

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No. de pieza	MTY10N100E

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Fabricante Electrónico	MOTOROLA [Motorola, Inc]

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Descripción Electrónicos

TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM

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Descripción Electrónicos	TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM

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MTY10N100E Detalles de producto

TMOS E-FET Power Eield Effect Transistor
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. Designed for high voltage and high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Robust High Voltage Termination
• Avalanche Energy Specified
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

Número de pieza similar - MTY10N100E

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Motorola, Inc	MTY100N10E	216Kb / 8P	TMOS POWER FET 100 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.011 OHM
ON Semiconductor	MTY100N10E	212Kb / 7P	Power MOSFET August, 2006 ??Rev. 4
Inchange Semiconductor ...	MTY100N10E	324Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

Descripción similar - MTY10N100E

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Motorola, Inc	MTD5P06E	208Kb / 10P	TMOS POWER FET 5.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHM
	MTD5P06V	245Kb / 10P	TMOS POWER FET 5 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.450 OHM
	MTD6N20E	269Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.7 OHM
	MTP1N100E	203Kb / 8P	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 9.0 OHM
	MTP3N100E	206Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 4.0 OHM
	MTV10N100E	269Kb / 10P	TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM
	MTV6N100E	262Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM
	MTW10N100E	192Kb / 8P	TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM
	MTW6N100E	195Kb / 8P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM
	MTY14N100E	232Kb / 8P	TMOS POWER FET 14 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 0.80 OHM

Acerca de Motorola, Inc

Motorola, Inc. era una compañía de telecomunicaciones multinacional estadounidense que fue fundada en 1928. Tenía su sede en Schaumburg, Illinois y fue uno de los mayores proveedores de teléfonos móviles, equipos de telecomunicaciones y semiconductores. A lo largo de su historia, Motorola fue conocida por su innovación en el campo de las telecomunicaciones, incluido el desarrollo del primer teléfono celular disponible comercialmente, el Dynatac y el primer buscapersonas de dos vías del mundo, el Pageboy.

En 2011, Motorola se dividió en dos compañías separadas: Motorola Mobility y Motorola Solutions. Google luego adquirió la movilidad de Motorola en Google en 2012, y ahora es una subsidiaria de Lenovo. Motorola Solutions se centra en la seguridad pública y las soluciones de comunicación comercial e industrial. La compañía proporciona una amplia gama de productos que incluyen radios bidireccionales, dispositivos de computación móvil y equipos de infraestructura de red.

Motorola fue uno de los pioneros de la industria de los teléfonos móviles y tiene una rica historia de innovación y avances tecnológicos. El legado de la compañía continúa a través de sus subsidiarias y sus tecnología y productos continúan utilizándose en todo el mundo.

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