2SD2206A Datasheet(PDF) - Toshiba Semiconductor

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2SD2206A Datasheet (PDF) - Toshiba Semiconductor

2SD2206A Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor


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Fabricante Electrónico	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications

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2SD2206A Detalles de producto

Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications
Switching Applications
Power Amplifier Applications

• High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A)
• Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 1 A, IB = 1 mA)

Número de pieza similar - 2SD2206A

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Toshiba Semiconductor	2SD2206	160Kb / 3P	NPN EPITAXIAL TYPE (MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
	2SD2206	119Kb / 4P	Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor)
	2SD2206	141Kb / 4P	Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications
	2SD2206	119Kb / 4P	Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor)
	2SD2206	141Kb / 4P	Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications

Descripción similar - 2SD2206A

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Toshiba Semiconductor	2SD2206	141Kb / 4P	Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications
	2SD1631	152Kb / 5P	Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications
	2SD2088	151Kb / 5P	Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications
	2SD1784	183Kb / 5P	Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications
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	2SD1509	162Kb / 5P	Micro-Motor Drive, Hammer Drive Applications
	2SD1140	148Kb / 5P	Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications
	2SD2480	148Kb / 5P	Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications
	2SD1508	167Kb / 5P	Pulse Motor Drive, Hammer Drive Applications

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