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NESG3032M14 Datasheet (PDF) - Renesas Technology Corp
NESG3032M14 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
No. de pieza NESG3032M14
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Fabricante Electrónico  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Página de inicio  http://www.renesas.com
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Descripción Electrónicos NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

NESG3032M14 Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrónico  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Página de inicio  http://www.renesas.com
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Descripción Electrónicos NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

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NESG3032M14 Detalles de producto

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
Amplification 4-Pin Lead-Less Minimold (M14, 1208 PKG)

FEATURES
• The NESG3032M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification
   NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz
• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz
• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz
• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)




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Acerca de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp es una compañía de semiconductores japoneses que proporciona una amplia gama de microcontroladores, sistemas a chips y dispositivos analógicos y de energía para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.
La compañía se formó en 2010 a través de la fusión de NEC Electronics Corporation y Renesas Technology Corporation.
Renesas es uno de los mayores proveedores de microcontroladores del mundo y es conocido por su experiencia en el desarrollo de tecnologías avanzadas en áreas como Internet de las cosas (IoT), inteligencia artificial (IA) y electrónica automotriz.
La compañía tiene operaciones en más de 20 países y sus productos se utilizan en una amplia gama de aplicaciones.

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