RJS6004WDPK-00T0 Datasheet(PDF)

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RJS6004WDPK-00T0 Datasheet (PDF) - Renesas Technology Corp


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600V - 20A - Diode SiC Schottky Barrier Diode

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RJS6004WDPK-00T0 Detalles de producto

Features
• New semiconductor material: Silicon Carbide Diode
• No reverse recovery / No forward recovery

Número de pieza similar - RJS6004WDPK-00T0

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Renesas Technology Corp	RJS6004WDPK	70Kb / 4P	SiC Schottky Barrier Diode
Renesas Technology Corp	RJS6004WDPK	70Kb / 4P	600V - 20A - Diode SiC Schottky Barrier Diode

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	RJS6004WDPK	70Kb / 4P	600V - 20A - Diode SiC Schottky Barrier Diode
	RJS6005TDPP-EJ	68Kb / 4P	600V - 15A - Diode SiC Schottky Barrier Diode
	RJS6005WDPK	68Kb / 4P	600V - 30A - Diode SiC Schottky Barrier Diode
Chip Integration Techno...	SIC20C65	1Mb / 4P	20A SiC Schottky Diode
UnitedSiC.	UJ2D1220K	520Kb / 4P	20A - 1200V SiC Schottky Diode Rev. B, October 2016
UnitedSiC.	UJ3D06520KSD	558Kb / 5P	20A - 650V SiC Schottky Diode Rev. B, April 2018
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Acerca de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp es una compañía de semiconductores japoneses que proporciona una amplia gama de microcontroladores, sistemas a chips y dispositivos analógicos y de energía para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.
La compañía se formó en 2010 a través de la fusión de NEC Electronics Corporation y Renesas Technology Corporation.
Renesas es uno de los mayores proveedores de microcontroladores del mundo y es conocido por su experiencia en el desarrollo de tecnologías avanzadas en áreas como Internet de las cosas (IoT), inteligencia artificial (IA) y electrónica automotriz.
La compañía tiene operaciones en más de 20 países y sus productos se utilizan en una amplia gama de aplicaciones.

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