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IRFZ34NSTRRPBF Datasheet (PDF) - International Rectifier
IRFZ34NSTRRPBF Datasheet PDF - International Rectifier
No. de pieza IRFZ34NSTRRPBF
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IRFZ34NSTRRPBF Datasheet (PDF)

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IRFZ34NSTRRPBF Detalles de producto

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology
● Surface Mount (IRFZ34NS)
● Low-profile through-hole (IRFZ34NL)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Lead-Free




Número de pieza similar - IRFZ34NSTRRPBF

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Acerca de International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




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