2SC3133 Datasheet(PDF) - Mitsubishi Electric Semiconductor

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2SC3133 Datasheet (PDF) - Mitsubishi Electric Semiconductor

2SC3133 Datasheet PDF - Mitsubishi Electric Semiconductor


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2SC3133 Detalles de producto

DESCRIPTION
2SC3033 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in HF mobile radio applications.

APPLICATIONs
10 watts output power amplifiers in HF band SSB mobile radio application.

Número de pieza similar - 2SC3133

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Advanced Semiconductor	2SC3133	69Kb / 1P	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
eleflow technologies co...	2SC3133	283Kb / 4P	10 watts output power amplifiers in HF band SSB mobile radio application

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	2SC2539	136Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)?
	2SC2540	136Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)?
	2SC2629	135Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)?
	2SC3019	203Kb / 4P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)
	2SC3020	128Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)
	2SC3101	92Kb / 2P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)
	2SC3105	99Kb / 2P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)
	2SC3379	150Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

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