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SGM2016AP Datasheet (PDF) - Sony Corporation
SGM2016AP Datasheet PDF - Sony Corporation
No. de pieza SGM2016AP
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Fabricante Electrónico  SONY [Sony Corporation]
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Logo SONY - Sony Corporation
Descripción Electrónicos GaAs N-channel Dual-Gate MES FET

SGM2016AP Datasheet (PDF)

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Descripción Electrónicos GaAs N-channel Dual-Gate MES FET

SGM2016AP Datasheet (HTML) - Sony Corporation


SGM2016AP Detalles de producto

Description
The SGM2016AM/AP is an N-channel dual-gate GaAs MES FET for UHF-band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including UHF TV tuners, cellular/cordless phone, and DBS IF amplifiers.

Features
• Low voltage operation
• Low noise NF = 1.2dB (typ.) at 900MHz
• High gain Ga = 21dB (typ.) at 900MHz
• High stability
• Built-in gate protection diode

Application
    UHF-band high-frequency amplifier, mixer, and oscillator




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