2SC3103 Datasheet(PDF) - Mitsubishi Electric Semiconductor

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2SC3103 Datasheet (PDF) - Mitsubishi Electric Semiconductor

2SC3103 Datasheet PDF - Mitsubishi Electric Semiconductor


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2SC3103 Detalles de producto

DESCRIPTION
2SC3103 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor specifically designed for UHF power amplifier applications.

APPLICATION
For drive stage of 5W power amplifiers and output stage of up to 2W power amplifiers in UHF band portable type radio sets.

Número de pieza similar - 2SC3103

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eleflow technologies co...	2SC3101	211Kb / 3P	For drive stage and output stage of power amplifiers in UHF band.
Mitsubishi Electric Sem...	2SC3102	159Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)
New Jersey Semi-Conduct...	2SC3102	146Kb / 1P	RF POWER TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
Mitsubishi Electric Sem...	2SC3104	140Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

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	2SC3105	99Kb / 2P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)
	2SC3379	150Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

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