2SC3355 Datasheet(PDF) - Renesas Technology Corp

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NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

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2SC3355 Detalles de producto

DESCRIPTION
The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic.

FEATURES
• Low noise and high gain
NF = 1.1 dB TYP., Ga= 8.0 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz
NF = 1.8 dB TYP., Ga= 9.0 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 40 mA, f = 1 GHz
• High power gain : MAG = 11 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 20 mA, f = 1 GHz

Número de pieza similar - 2SC3355

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
NEC	2SC3355	102Kb / 8P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Unisonic Technologies	2SC3355	107Kb / 3P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
Inchange Semiconductor ...	2SC3355	314Kb / 6P	isc Silicon NPN RF Transistor
Unisonic Technologies	2SC3355	82Kb / 2P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
Renesas Technology Corp	2SC3355	293Kb / 10P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

Descripción similar - 2SC3355

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Renesas Technology Corp	2SC4093	175Kb / 9P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
California Eastern Labs	NE85634	216Kb / 6P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
Renesas Technology Corp	2SC2570A	293Kb / 10P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
Renesas Technology Corp	2SC5013	190Kb / 9P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
NEC	2SC5433	59Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
NEC	2SC5434	61Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
Renesas Technology Corp	2SC5432	314Kb / 12P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION February 2002
NEC	2SC3663	110Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
	2SC5432	59Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
	2SC5435	59Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

Acerca de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp es una compañía de semiconductores japoneses que proporciona una amplia gama de microcontroladores, sistemas a chips y dispositivos analógicos y de energía para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.
La compañía se formó en 2010 a través de la fusión de NEC Electronics Corporation y Renesas Technology Corporation.
Renesas es uno de los mayores proveedores de microcontroladores del mundo y es conocido por su experiencia en el desarrollo de tecnologías avanzadas en áreas como Internet de las cosas (IoT), inteligencia artificial (IA) y electrónica automotriz.
La compañía tiene operaciones en más de 20 países y sus productos se utilizan en una amplia gama de aplicaciones.

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