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PTF080101S Datasheet (PDF) - Infineon Technologies AG
PTF080101S Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
No. de pieza PTF080101S
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Fabricante Electrónico  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Página de inicio  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
Descripción Electrónicos Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz

PTF080101S Datasheet (PDF)

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PTF080101S Datasheet PDF - Infineon Technologies AG

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Fabricante Electrónico  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Página de inicio  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
Descripción Electrónicos Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz

PTF080101S Datasheet (HTML) - Infineon Technologies AG


PTF080101S Detalles de producto

Description
The PTF080101 is a 10 W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features
• Broadband internal matching
• Typical EDGE performance
  - Average output power = 4.0 W
  - Gain = 19 dB
  - Efficiency = 31%
• Typical CW performance
  - Output power at P–1dB = 13 W
  - Gain = 18 dB
- Efficiency = 55%
• Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1 (minimum)
• Excellent thermal stability
• Low HCI drift
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 10 W (CW) output power




Número de pieza similar - PTF080101S

Fabricante ElectrónicoNo. de piezaDatasheetDescripción Electrónicos
logo
Infineon Technologies A...		 PTF080101S INFINEON-PTF080101S Datasheet
64Kb / 4P		 LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ
2004-03-08
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Descripción similar - PTF080101S

Fabricante ElectrónicoNo. de piezaDatasheetDescripción Electrónicos
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Infineon Technologies A...		 PTFA043002E INFINEON-PTFA043002E Datasheet
305Kb / 10P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 300 W, 470 ??860 MHz
Rev. 03.1, 2009-02-20
PTFA091503EL INFINEON-PTFA091503EL Datasheet
627Kb / 11P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 920-960 MHz
Rev. 03, 2010-08-11
PTFB091802FC INFINEON-PTFB091802FC_16 Datasheet
1Mb / 9P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 180 W, 28 V, 920 ??960 MHz
Rev. 02.1, 2016-06-10
PTFB091507FH INFINEON-PTFB091507FH_16 Datasheet
1,015Kb / 13P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 160 W, 28 V, 920 ??960 MHz
Rev. 03.1, 2016-06-09
PTFA091503EL INFINEON-PTFA091503EL_16 Datasheet
766Kb / 11P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 920 ??960 MHz
Rev. 04, 2016-06-16
PTRA094808NF INFINEON-PTRA094808NF Datasheet
463Kb / 10P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 480 W, 48 V, 859 ??960 MHz
Rev. 03, 2017-08-21
PTVA092407NF INFINEON-PTVA092407NF Datasheet
434Kb / 9P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 240 W, 48 V, 869 ??960 MHz
Rev. 02.4, 2017-02-07
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Cree, Inc		 PTFB091507FH CREE-PTFB091507FH Datasheet
618Kb / 13P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 160 W, 28 V, 920 ??960 MHz
PTRA093818NF CREE-PTRA093818NF Datasheet
600Kb / 10P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 415 W, 48 V, 925 ??960 MHz
PTVA092407NF CREE-PTVA092407NF Datasheet
595Kb / 9P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 240 W, 48 V, 869 ??960 MHz
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Acerca de Infineon Technologies AG

Infineon Technologies es un fabricante líder de semiconductores globales que se especializa en proporcionar soluciones de gestión de energía, seguridad y control para una variedad de industrias como sistemas automotrices, industriales y de comunicación.
La compañía fue fundada en 1999 y tiene su sede en Neubiberg, Alemania.
Infineon ofrece una amplia gama de productos que incluyen microcontroladores, semiconductores de energía, sensores y otros circuitos integrados.
La compañía tiene una fuerte presencia en el mercado global, con operaciones e instalaciones en varios países de todo el mundo.

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