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IXGH20N120B Datasheet (PDF) - IXYS Corporation

IXGH20N120B Datasheet PDF - IXYS Corporation
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Descripción Electrónicos High Voltage IGBT

IXGH20N120B Datasheet (PDF)

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Descripción Electrónicos High Voltage IGBT

IXGH20N120B Datasheet (HTML) - IXYS Corporation


IXGH20N120B Detalles de producto

VCES = 1200 V

IC25 = 40 A

VCE(sat) = 3.4 V

tfi(typ) = 160 ns



Features

• High Voltage IGBT for resonant power supplies

   - Induction heating

   - Rice cookers

• International standard packages

   JEDEC TO-268 surface and

   JEDEC TO-247 AD

• Low switching losses, low V(sat)

• MOS Gate turn-on

   - drive simplicity



Advantages

• High power density

• Suitable for surface mounting

• Easy to mount with 1 screw, (isolated mounting screw hole)



 




Número de pieza similar - IXGH20N120B

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Acerca de IXYS Corporation


IXYS Corporation es una compañía de tecnología que se especializa en el diseño, fabricación y venta de semiconductores de energía y circuitos integrados (ICS). La compañía fue fundada en 1983 y tiene su sede en Milpitas, California. IXYS tiene una presencia global, con operaciones y clientes en más de 60 países de todo el mundo.

IXYS proporciona una amplia gama de productos y soluciones, que incluyen MOSFET de potencia, transistores bipolares de potencia, tiristores, diodos e ICS para aplicaciones de gestión y control de energía. Los productos de la compañía se utilizan en una variedad de aplicaciones, que incluyen energía renovable, industrial, automotriz y electrónica de consumo.

IXYS es conocido por su experiencia en tecnología de semiconductores de energía y su capacidad para proporcionar soluciones de alto rendimiento y rentables a sus clientes. La compañía está comprometida con la innovación, la investigación y el desarrollo y participa activamente en el desarrollo de nuevas tecnologías y soluciones para el mercado de semiconductores de poder. IXYS es un líder reconocido en el mercado de semiconductores de poder y continúa brindando productos y servicios de alta calidad a sus clientes.

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