GWM100-01X1 Datasheet(PDF) - IXYS Corporation

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GWM100-01X1 Datasheet (PDF) - IXYS Corporation

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Fabricante Electrónico	IXYS [IXYS Corporation]

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Descripción Electrónicos

Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package

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Descripción Electrónicos	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package

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GWM100-01X1 Detalles de producto

Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package

Features
• MOSFETs in trench technology:
   - low RDSon
   - optimized intrinsic reverse diode
• package:
   - high level of integration
   - high current capability 300 A max.
   - aux. terminals for MOSFET control
   - terminals for soldering or welding
      connections
   - isolated DCB ceramic base plate
      with optimized heat transfer
• Space and weight savings

Applications
AC drives
• in automobiles
   - electric power steering
   - starter generator
• in industrial vehicles
   - propulsion drives
   - fork lift drives
• in battery supplied equipment

Package options
• 2 lead frames available
- straight leads (SL)
- SMD lead version (SMD)

Número de pieza similar - GWM100-01X1

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
IXYS Corporation	GWM100-01X1-SL	649Kb / 6P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
IXYS Corporation	GWM100-01X1-SMD	649Kb / 6P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package

Descripción similar - GWM100-01X1

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
IXYS Corporation	GWM70-01P2	68Kb / 2P	Three phase full bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GWM120-0075P3	80Kb / 3P	Three phase full bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GMM3X120-0075X2	195Kb / 4P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GMM3X180-004X2	299Kb / 7P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GWM120-0075X1	326Kb / 6P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GWM180-004X2	322Kb / 6P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GWM100-01X1-SL	649Kb / 6P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	MTC120WX55GD	207Kb / 4P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB-isolated high-current package
	MTC120WX75GD	207Kb / 4P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB-isolated high-current package
	MTI200WX75GD	338Kb / 7P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package

Acerca de IXYS Corporation

IXYS Corporation es una compañía de tecnología que se especializa en el diseño, fabricación y venta de semiconductores de energía y circuitos integrados (ICS). La compañía fue fundada en 1983 y tiene su sede en Milpitas, California. IXYS tiene una presencia global, con operaciones y clientes en más de 60 países de todo el mundo.

IXYS proporciona una amplia gama de productos y soluciones, que incluyen MOSFET de potencia, transistores bipolares de potencia, tiristores, diodos e ICS para aplicaciones de gestión y control de energía. Los productos de la compañía se utilizan en una variedad de aplicaciones, que incluyen energía renovable, industrial, automotriz y electrónica de consumo.

IXYS es conocido por su experiencia en tecnología de semiconductores de energía y su capacidad para proporcionar soluciones de alto rendimiento y rentables a sus clientes. La compañía está comprometida con la innovación, la investigación y el desarrollo y participa activamente en el desarrollo de nuevas tecnologías y soluciones para el mercado de semiconductores de poder. IXYS es un líder reconocido en el mercado de semiconductores de poder y continúa brindando productos y servicios de alta calidad a sus clientes.

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