FC126 Datasheet(PDF) - Sanyo Semicon Device

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FC126 Datasheet (PDF) - Sanyo Semicon Device

FC126 Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


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Fabricante Electrónico	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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Descripción Electrónicos

NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)

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Descripción Electrónicos	NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)

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FC126 Detalles de producto

NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor
Switching Applications (with Bias Resistance)

Features
· On-chip bias resistance (R1=47kΩ).
· Composite type with 2 transistors contained in the CP package currently in use, improving the mounting efficiency greatly.
· The FC126 is formed with two chips, being equivalent to the 2SC3898, placed in one package.
· Excellent in thermal equilibrium and pair capability.

Número de pieza similar - FC126

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Amphenol Communications...	FC12600-0	166Kb / 1P	Cable assembly with T812 series connector w/o SR
Amphenol Communications...	FC12600-S	169Kb / 1P	Cable assembly with T812 series connector w/SR
Nova Electric. All Righ...	FC1260U	304Kb / 2P	RUGGED SINGLE-PHASE SINEWAVE FREQUENCY CONVERTER CAN MEET MIL-STD-810, MIL-STD-1399, MIL-S-901, MIL-STD-704, & MIL-STD-461 OPTIONALLY

Descripción similar - FC126

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Sanyo Semicon Device	FC123	37Kb / 2P	PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC124	36Kb / 2P	NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC128	37Kb / 2P	NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC130	36Kb / 2P	NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC132	47Kb / 2P	NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC134	44Kb / 2P	NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC136	44Kb / 2P	NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC138	43Kb / 2P	NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC143	44Kb / 2P	NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC144	44Kb / 2P	NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)

Acerca de Sanyo Semicon Device

Sanyo Semiconductor Device Corporation, o dispositivo Sanyo Semicon, fue una subsidiaria de Sanyo Electric Co., Ltd., una compañía de electrónica japonesa. El dispositivo Sanyo Semicon era un fabricante de dispositivos semiconductores, incluidos diodos, transistores y otros componentes para la electrónica de consumo, las aplicaciones automotrices e industriales. La compañía se estableció en 1970 y tuvo su sede en Osaka, Japón.

El dispositivo Sanyo Semicon era conocido por sus productos de alta calidad y su compromiso de satisfacer las necesidades de sus clientes. La compañía tuvo un fuerte enfoque en la investigación y el desarrollo y participó en el desarrollo de nuevas tecnologías y productos para la industria de los semiconductores. Los productos del dispositivo Sanyo Semicon se usaron ampliamente en una variedad de aplicaciones y ayudaron a apoyar el crecimiento de la industria electrónica.

En 2010, Sanyo Electric fue adquirido por Panasonic Corporation, una compañía líder global de electrónica. Como resultado, el dispositivo Sanyo Semicon se convirtió en una subsidiaria de Panasonic y se integró en su negocio de semiconductores. La adquisición permitió a Panasonic expandir su cartera de productos y ofertas en el mercado de semiconductores y fortalecer aún más su posición en la industria electrónica.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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