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IRF443 Datasheet (PDF) - Samsung semiconductor
IRF443 Datasheet PDF - Samsung semiconductor
No. de pieza IRF443
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Fabricante Electrónico  SAMSUNG [Samsung semiconductor]
Página de inicio  http://www.samsung.com/Products/Semiconductor
Logo SAMSUNG - Samsung semiconductor
Descripción Electrónicos N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF443 Datasheet (PDF)

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IRF443 Datasheet PDF - Samsung semiconductor

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IRF443 Datasheet (HTML) - Samsung semiconductor


IRF443 Detalles de producto

FEATURES
• Low Boston) at high voltage
• Improved Inductive ruggedness
• Excellent high voltage stability
• Fast switching times
• Rugged polyslllcon gate cell structure
• Low Input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved high temperature reliability
• TO-3 package (High voltage)




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