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RFM03U3CT Datasheet (PDF) - Toshiba Semiconductor
RFM03U3CT Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor
No. de pieza RFM03U3CT
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Fabricante Electrónico  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Página de inicio  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor
Descripción Electrónicos Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

RFM03U3CT Datasheet (PDF)

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RFM03U3CT Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor

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RFM03U3CT Datasheet (HTML) - Toshiba Semiconductor


RFM03U3CT Detalles de producto

VHF- and UHF-band Amplifier Applications

(Note) The TOSHIBA products listed in this document are intended for high
frequency Power Amplifier of telecommunications equipment.. These
TOSHIBA products are neither intended nor warranted for any other use.
Do not use these TOSHIBA products listed in this document except for
high frequency Power Amplifier of telecommunications equipment.

• Output power: PO = 3 W (typ.)
• Gain: GP = 15 dB (typ.)
• Drain efficiency: ηD = 60% (typ.)




Número de pieza similar - RFM03U3CT

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Toshiba Semiconductor		 RFM03U3CT TOSHIBA-RFM03U3CT Datasheet
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