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2SC5175 Datasheet (PDF) - Toshiba Semiconductor
2SC5175 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor
No. de pieza 2SC5175
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Fabricante Electrónico  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Página de inicio  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor
Descripción Electrónicos NPN EPITAXIAL TYPE (HIHG CURRENT SWITCHING APPLICATIONS)

2SC5175 Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrónico  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Página de inicio  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
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2SC5175 Datasheet (HTML) - Toshiba Semiconductor


2SC5175 Detalles de producto

High-Current Switching Applications

• Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max)
          (IC = 2.5 A, IB = 125 mA)
• High-speed switching: tstg = 0.8 µs (typ.)

Collector-base voltage VCBO 60V
Collector-emitter voltage VCEO 50V
Emitter-base voltage VEBO 5V




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