TSAL7200 Datasheet(PDF) - Vishay Siliconix

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TSAL7200 Datasheet (PDF) - Vishay Siliconix

TSAL7200 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


No. de pieza	TSAL7200

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Fabricante Electrónico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Descripción Electrónicos

GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package

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TSAL7200 Detalles de producto

DESCRIPTION

TSAL7200 is an infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs/GaAs technology with high radiant power molded in a clear, untinted plastic package.

FEATURES

• Package type: leaded

• Package form: T-1¾

• Dimensions (in mm): ∅ 5

• Peak wavelength: λp= 940 nm

• High reliability

• High radiant power

• High radiant intensity

• Angle of half intensity: ϕ = ± 17°

• Low forward voltage

• Suitable for high pulse current operation

• Good spectral matching with Si photodetectors

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

APPLICATIONS

• Infrared remote control unitswith high power requirements

• Free air transmission systems

• Infrared source for optical counters and card readers

Número de pieza similar - TSAL7200

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Vishay Siliconix	TSAL7200	110Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs Rev. 1.7, 04-Sep-08
	TSAL7200	112Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs Rev. 1.8, 29-Jun-09
	TSAL7200	117Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode Rev. 2.0, 04-Jul-16
	TSAL7200	114Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 01-Jan-2022
	TSAL7200	115Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 01-Jan-2023

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	TSAL6200	82Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package Rev. 6, 20-May-99
	TSAL7300	83Kb / 6P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package Rev. 1, 20-May-99
	TSAL6100	82Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package Rev. 2, 20-May-99
	TSAL6400	76Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package Rev. 4, 20-May-99
	TSAL4400	81Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰3 mm (T.1) Package Rev. 3, 20-May-99
	TSFF5200	87Kb / 6P	High Speed IR Emitting Diode in ø5 mm (T–13/4) Package Rev. 2, 29-Jun-99
TEMIC Semiconductors	TSIL6400	111Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diodes in 첩 5 mm Package
Vishay Siliconix	TSHF5400	84Kb / 6P	High Speed IR Emitting Diode in ø 5 mm (T–13/4) Package Rev. 7, 02-Aug-99

Acerca de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix es una subsidiaria de Vishay Intertechnology, un fabricante global de componentes electrónicos pasivos.
Vishay Siliconix se especializa en el diseño, la fabricación y la comercialización de MOSFET de potencia, IGBTS y otros semiconductores de poder.
La compañía fue fundada en 1962 y tiene su sede en Santa Clara, California.
Vishay Siliconix proporciona soluciones de energía para una variedad de aplicaciones, incluidos sistemas de energía renovable, equipos industriales, informática y telecomunicaciones, y electrónica automotriz.
Los productos de la compañía están diseñados para alta eficiencia, bajo consumo de energía y alta confiabilidad, y se fabrican en instalaciones de última generación utilizando procesos de fabricación avanzados.
Con un enfoque en la innovación y la satisfacción del cliente, Vishay Siliconix se compromete a proporcionar a sus clientes las mejores soluciones de gestión de energía para satisfacer sus necesidades.

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