2SJ356 Datasheet(PDF) - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

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2SJ356 Detalles de producto

Features

• Low on-state resistance

RDS(on)=0.95 (VGS=-4V,ID=-1.0A)

RDS(on)=0.50 (VGS=-10V,ID=-1.0A)

Número de pieza similar - 2SJ356

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
NEC	2SJ356	68Kb / 6P	P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
Guangdong Kexin Industr...	2SJ356	49Kb / 2P	MOS Field Effect Transistors
VBsemi Electronics Co.,...	2SJ356	959Kb / 7P	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Renesas Technology Corp	2SJ356	269Kb / 8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1996
TECH PUBLIC Electronics...	2SJ356-TP	3Mb / 5P	P-Channel Enhancement MOSFET

Descripción similar - 2SJ356

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Guangdong Kexin Industr...	2SK2479	44Kb / 2P	MOS Field Effect Transistors
	2SK2484	43Kb / 2P	MOS Field Effect Transistors
	2SJ605	49Kb / 2P	MOS Field Effect Transistors
	2SK2481	44Kb / 2P	MOS Field Effect Transistors
	2SJ356	49Kb / 2P	MOS Field Effect Transistors
	2SJ360	48Kb / 2P	MOS Field Effect Transistors
Renesas Technology Corp	2SK2499	343Kb / 10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS 1995
	2SK2941	218Kb / 10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS 1997
	2SK2359	257Kb / 10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS 1995
	2SK2365	256Kb / 10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS 1995

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