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2SK3348 Datasheet (PDF) - Renesas Technology Corp
2SK3348 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
No. de pieza 2SK3348
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Fabricante Electrónico  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Página de inicio  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Descripción Electrónicos Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching

2SK3348 Datasheet (PDF)

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Descripción Electrónicos Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching

2SK3348 Datasheet (HTML) - Renesas Technology Corp


2SK3348 Detalles de producto

Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching

Features
•  Low on-resistance
   RDS= 1.6 Ωtyp. (VGS= 4 V , ID= 50 mA)
   RDS= 2.2 Ωtyp. (VGS= 2.5 V , ID= 50 mA)
•  2.5 V gate drive device.
•  Small package (CMPAK)




Número de pieza similar - 2SK3348

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Hitachi Semiconductor		 2SK3348 HITACHI-2SK3348 Datasheet
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2SK3348 HITACHI-2SK3348 Datasheet
40Kb / 8P		 Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching
2SK3380 HITACHI-2SK3380 Datasheet
26Kb / 5P		 Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching
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Sanyo Semicon Device		 FW306 SANYO-FW306 Datasheet
17Kb / 2P		 N- Channel Silicon MOS FET High Speed Switching
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2SK3349 RENESAS-2SK3349 Datasheet
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June 1999
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Acerca de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp es una compañía de semiconductores japoneses que proporciona una amplia gama de microcontroladores, sistemas a chips y dispositivos analógicos y de energía para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.
La compañía se formó en 2010 a través de la fusión de NEC Electronics Corporation y Renesas Technology Corporation.
Renesas es uno de los mayores proveedores de microcontroladores del mundo y es conocido por su experiencia en el desarrollo de tecnologías avanzadas en áreas como Internet de las cosas (IoT), inteligencia artificial (IA) y electrónica automotriz.
La compañía tiene operaciones en más de 20 países y sus productos se utilizan en una amplia gama de aplicaciones.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




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