2SK2940 Datasheet(PDF)

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2SK2940 Datasheet (PDF) - Renesas Technology Corp


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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SK2940 Detalles de producto

Features
• Low on-resistance
RDS =0.010 Ω typ.
• High speed switching
• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source

Número de pieza similar - 2SK2940

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Hitachi Semiconductor	2SK2940	55Kb / 10P	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Hitachi Semiconductor	2SK2940L	55Kb / 10P	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
VBsemi Electronics Co.,...	2SK2940L	1Mb / 7P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Inchange Semiconductor ...	2SK2940L	327Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Hitachi Semiconductor	2SK2940S	55Kb / 10P	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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	RJK6015DPK	107Kb / 7P	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
	RJK5012DPP	115Kb / 7P	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
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	RJK6066DPP-M0	88Kb / 4P	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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Acerca de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp es una compañía de semiconductores japoneses que proporciona una amplia gama de microcontroladores, sistemas a chips y dispositivos analógicos y de energía para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.
La compañía se formó en 2010 a través de la fusión de NEC Electronics Corporation y Renesas Technology Corporation.
Renesas es uno de los mayores proveedores de microcontroladores del mundo y es conocido por su experiencia en el desarrollo de tecnologías avanzadas en áreas como Internet de las cosas (IoT), inteligencia artificial (IA) y electrónica automotriz.
La compañía tiene operaciones en más de 20 países y sus productos se utilizan en una amplia gama de aplicaciones.

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