2SJ551 Datasheet(PDF)

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2SJ551 Datasheet (PDF) - Renesas Technology Corp


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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ551 Detalles de producto

Description

High speed power switching

Features

• Low on-resistance

RDS (on) = 0.050 Ω typ.

• Low drive current.

• 4 V gate drive devices.

• High speed switching.

Número de pieza similar - 2SJ551

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Hitachi Semiconductor	2SJ551	55Kb / 9P	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
Renesas Technology Corp	2SJ551(L)	114Kb / 11P	Silicon P Channel MOS FET
Hitachi Semiconductor	2SJ551L	55Kb / 9P	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
Hitachi Semiconductor	2SJ551S	55Kb / 9P	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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Acerca de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp es una compañía de semiconductores japoneses que proporciona una amplia gama de microcontroladores, sistemas a chips y dispositivos analógicos y de energía para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.
La compañía se formó en 2010 a través de la fusión de NEC Electronics Corporation y Renesas Technology Corporation.
Renesas es uno de los mayores proveedores de microcontroladores del mundo y es conocido por su experiencia en el desarrollo de tecnologías avanzadas en áreas como Internet de las cosas (IoT), inteligencia artificial (IA) y electrónica automotriz.
La compañía tiene operaciones en más de 20 países y sus productos se utilizan en una amplia gama de aplicaciones.

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