BFU520W Datasheet(PDF)

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BFU520W Datasheet (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited


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Silicon NPN RF Power Transistor

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BFU520W Datasheet (HTML) - Inchange Semiconductor Company Limited

BFU520W Datasheet HTML 1Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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BFU520W Detalles de producto

FEATURES
·Low−noise: NF = 1.5 dB Typ (f = 1 GHz)
·High Gain: |S21e|2 = 12.2 dB Typ (f = 1 GHz)
·High Cut−off Frequency: fT = 8 GHz Typ
APPLICATIONS
·Low noise, High-gain amplifiers
·Linear broadband amplifiers

Número de pieza similar - BFU520W

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
NXP Semiconductors	BFU520W	302Kb / 22P	NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 ??13 January 2014
NXP Semiconductors	BFU520W	302Kb / 22P	NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1-13 January 2014

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	ASIS50-28	20Kb / 1P	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
	MRA0610-18A	14Kb / 1P	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
	CM45-28	15Kb / 1P	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
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Acerca de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited es una compañía de semiconductores chino que fue fundada en 1997.

La compañía ofrece una amplia gama de productos que incluyen dispositivos de energía discretos y analógicos, y diodos para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.

Inchange es conocido por su enfoque en la calidad y la confiabilidad, y sus productos se utilizan ampliamente en la gestión de energía, la iluminación y otras aplicaciones.

La compañía tiene operaciones en varios países y es uno de los principales proveedores de dispositivos de energía y diodos en la región de Asia y el Pacífico.

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