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STBV10500BY4 Datasheet (PDF) - Innogration Technologies, Inc.
STBV10500BY4 Datasheet PDF - Innogration Technologies, Inc.
No. de pieza STBV10500BY4
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Fabricante Electrónico  INNOGRATION [Innogration Technologies, Inc.]
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Logo INNOGRATION - Innogration Technologies, Inc.
Descripción Electrónicos Gallium Nitride 50V, 500W,0.6-1GHz RF Power Transistor

STBV10500BY4 Datasheet (PDF)

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Descripción Electrónicos Gallium Nitride 50V, 500W,0.6-1GHz RF Power Transistor

STBV10500BY4 Datasheet (HTML) - Innogration Technologies, Inc.


STBV10500BY4 Detalles de producto

Description
The STBV10500BY4 is a 500watt Doherty pair capable, GaN HEMT, ideal for for 4G/5G cellular
applications from 0.6 to 1GHz..
It can be configured as asymmetrical Doherty delivering 80W average power, according to normal
8dB back off.
There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies.

Applications
 Asymmetrical Doherty amplifier within 0.6-1GHz
 UHF TV




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