SBT80-10Y Datasheet(PDF) - Sanyo Semicon Device

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SBT80-10Y Datasheet (PDF) - Sanyo Semicon Device

SBT80-10Y Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


No. de pieza	SBT80-10Y

Descarga	SBT80-10Y Descarga

Tamaño del archivo	35.87 Kbytes

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Fabricante Electrónico	SANYO [Sanyo Semicon Device]

Página de inicio	https://www.sanyo-av.com/us/

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Descripción Electrónicos

Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 100V, 8A Rectifier

SBT80-10Y Datasheet (PDF)

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No. de pieza	SBT80-10Y

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Fabricante Electrónico	SANYO [Sanyo Semicon Device]

Página de inicio	https://www.sanyo-av.com/us/

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Descripción Electrónicos	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 100V, 8A Rectifier

SBT80-10Y Datasheet (HTML) - Sanyo Semicon Device

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SBT80-10Y Detalles de producto

Features
• Guaranteed up to Tj=150°C.
• Low forward voltage (VF max=0.80V).
• Fast reverse recovery time.
• Low switching noise.
• High reliability due to highly reliable planar structure.
• Surface mount type device reducing the assembling time and facilitating compact and high-density assembly of SBT80-10Y-applied equipment.

Applications
• High frequency rectification (switching regulators, converters and choppers).

Número de pieza similar - SBT80-10Y

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Sanyo Semicon Device	SBT80-10GS	238Kb / 3P	100V, 8A Rectifi er
	SBT80-10J	38Kb / 3P	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 100V, 8A Rectifier
	SBT80-10JS	40Kb / 3P	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 100V, 8A Rectifier
	SBT80-10LS	41Kb / 3P	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 100V, 8A Rectifier

Descripción similar - SBT80-10Y

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Sanyo Semicon Device	SBR160-10J	35Kb / 3P	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 100V, 16A Rectifier
	SBT80-04J	38Kb / 3P	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 40V, 8A Rectifier
	SBT80-04Y	35Kb / 3P	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 40V, 8A Rectifier
	SBT80-06J	39Kb / 3P	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 60V, 8A Rectifier
	SBT80-06LS	42Kb / 3P	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 60V, 8A Rectifier
	SBT80-10J	38Kb / 3P	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 100V, 8A Rectifier
	SBT80-10JS	40Kb / 3P	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 100V, 8A Rectifier
	SBT80-10LS	41Kb / 3P	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 100V, 8A Rectifier
	SBT150-10JS	40Kb / 3P	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 100V, 15A Rectifier
	SBT350-10L	35Kb / 3P	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 100V, 35A Rectifier

Acerca de Sanyo Semicon Device

Sanyo Semiconductor Device Corporation, o dispositivo Sanyo Semicon, fue una subsidiaria de Sanyo Electric Co., Ltd., una compañía de electrónica japonesa. El dispositivo Sanyo Semicon era un fabricante de dispositivos semiconductores, incluidos diodos, transistores y otros componentes para la electrónica de consumo, las aplicaciones automotrices e industriales. La compañía se estableció en 1970 y tuvo su sede en Osaka, Japón.

El dispositivo Sanyo Semicon era conocido por sus productos de alta calidad y su compromiso de satisfacer las necesidades de sus clientes. La compañía tuvo un fuerte enfoque en la investigación y el desarrollo y participó en el desarrollo de nuevas tecnologías y productos para la industria de los semiconductores. Los productos del dispositivo Sanyo Semicon se usaron ampliamente en una variedad de aplicaciones y ayudaron a apoyar el crecimiento de la industria electrónica.

En 2010, Sanyo Electric fue adquirido por Panasonic Corporation, una compañía líder global de electrónica. Como resultado, el dispositivo Sanyo Semicon se convirtió en una subsidiaria de Panasonic y se integró en su negocio de semiconductores. La adquisición permitió a Panasonic expandir su cartera de productos y ofertas en el mercado de semiconductores y fortalecer aún más su posición en la industria electrónica.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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