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LX5503ELQ Datasheet (PDF) - Microsemi Corporation
LX5503ELQ Datasheet PDF - Microsemi Corporation
No. de pieza LX5503ELQ
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Fabricante Electrónico  MICROSEMI [Microsemi Corporation]
Página de inicio  http://www.microsemi.com
Logo MICROSEMI - Microsemi Corporation
Descripción Electrónicos InGaP HBT 4 - 6GHz Power Amplifier

LX5503ELQ Datasheet (PDF)

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No. de pieza LX5503ELQ
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Fabricante Electrónico  MICROSEMI [Microsemi Corporation]
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Descripción Electrónicos InGaP HBT 4 - 6GHz Power Amplifier

LX5503ELQ Datasheet (HTML) - Microsemi Corporation


LX5503ELQ Detalles de producto

The LX5503E is a power amplifier optimized for high-efficiency low power applications in the FCC Unlicensed National Information Infrastructure (U-NII) band, Europe HyperLAN2, and Japan WLAN in the 4.9-5.85GHz frequency range. The PA is implemented as a two-stage monolithic microwave integrated circuit (MMIC) with active bias and input/output pre-matching. The device is manufactured with an InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) IC process (MOCVD). It operates at a single supply of 3.3V with +26dBm of P1dB, and power gain of 21dB between 4.9-5.35GHz and 16dB up to 5.85GHz.



 




Número de pieza similar - LX5503ELQ

Fabricante ElectrónicoNo. de piezaDatasheetDescripción Electrónicos
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Microsemi Corporation		 LX5503 MICROSEMI-LX5503 Datasheet
473Kb / 13P		 InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier
LX5503 MICROSEMI-LX5503 Datasheet
428Kb / 13P		 InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier
LX5503-LQ MICROSEMI-LX5503-LQ Datasheet
473Kb / 13P		 InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier
LX5503LQ MICROSEMI-LX5503LQ Datasheet
428Kb / 13P		 InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier
LX5503LQ-TR MICROSEMI-LX5503LQ-TR Datasheet
428Kb / 13P		 InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier
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RF Micro Devices		 SBB-4000 RFMD-SBB-4000 Datasheet
199Kb / 6P		 0.05GHZ TO 6GHZ, CASCADABLE ACTIVE BIAS InGaP HBT MMIC AMPLIFIER
SBB-5000 RFMD-SBB-5000 Datasheet
201Kb / 6P		 0.05GHz to 6GHz, CASCADABLE ACTIVE BIAS InGaP HBT MMIC AMPLIFIER
logo
Microsemi Corporation		 LX5503 MICROSEMI-LX5503_05 Datasheet
428Kb / 13P		 InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier
LX5506M MICROSEMI-LX5506M_09 Datasheet
74Kb / 2P		 InGaP HBT 4.5 ??6GHz Power Amplifier
logo
RF Micro Devices		 SBB5000 RFMD-SBB5000 Datasheet
155Kb / 6P		 0.05GHz to 6GHz, CASCADABLE ACTIVE BIAS InGaP HBT MMIC AMPLIFIER
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Acerca de Microsemi Corporation

Microsemi Corporation era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de soluciones de semiconductores y sistemas.
La compañía fue fundada en 1960 y tenía su sede en Aliso Viejo, California.
Microsemi proporcionó una amplia gama de productos que incluyen circuitos integrados analógicos y de señal mixta, matrices de compuertas programables de campo (FPGA), productos de gestión y control de energía, y otras soluciones de semiconductores.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como defensa y seguridad, aeroespacial y aviación, industrial y comunicaciones.
Microsemi era conocido por su experiencia en tecnología de semiconductores y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2018, Microsemi fue adquirido por Microchip Technology, un proveedor líder de productos microcontroladores, señal mixtos, analógicos y de seguridad.
La marca Microsemi ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Microchip.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




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