IRF540 Datasheet(PDF) - Nanjing International Group Co

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IRF540 Detalles de producto

FEATURES
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• 175 °C Operating Temperature
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements
• Lead (Pb)-free Available

Número de pieza similar - IRF540

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Fairchild Semiconductor	IRF540	146Kb / 5P	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
International Rectifier	IRF540	177Kb / 6P	HEXFET POWER MOSFET
STMicroelectronics	IRF540	311Kb / 8P	N-CHANNEL 100V - 0.055Ω - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™II POWER MOSFET Feb-2003

Descripción similar - IRF540

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	2SA1012	3Mb / 3P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors
	TIP42	1Mb / 3P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors
Nanjing International G...	IRF530	579Kb / 2P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
Nanjing International G...	TIP147	1Mb / 4P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

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