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NE650103M Datasheet (PDF) - Renesas Technology Corp
NE650103M Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Fabricante Electrónico  RENESAS [Renesas Technology Corp]
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Descripción Electrónicos N-CHANNEL GaAs MES FET

NE650103M Datasheet (PDF)

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NE650103M Detalles de producto

10 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET

DESCRIPTION
The NE650103M is a 10 W GaAs MES FET designed for power transmitter applications for mobile communication
base station systems. It is capable of delivering 10 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and
low distortion.
Reliability and performance uniformity are assured by our stringent quality and control procedures.
FEATURES
• High output power: PO (1 dB) = 40.0 dBm TYP.
• High linear gain: GL = 11.0 dB TYP.
• High power added efficiency: ηadd = 45% TYP. @ VDS = 10.0 V, IDset = 1.5 A (RF OFF), f = 2.3 GHz




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Acerca de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp es una compañía de semiconductores japoneses que proporciona una amplia gama de microcontroladores, sistemas a chips y dispositivos analógicos y de energía para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.
La compañía se formó en 2010 a través de la fusión de NEC Electronics Corporation y Renesas Technology Corporation.
Renesas es uno de los mayores proveedores de microcontroladores del mundo y es conocido por su experiencia en el desarrollo de tecnologías avanzadas en áreas como Internet de las cosas (IoT), inteligencia artificial (IA) y electrónica automotriz.
La compañía tiene operaciones en más de 20 países y sus productos se utilizan en una amplia gama de aplicaciones.

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