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SCTH100N120G2-AG Datasheet (PDF) - STMicroelectronics
SCTH100N120G2-AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
No. de pieza SCTH100N120G2-AG
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Tamaño del archivo   439.59 Kbytes
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Fabricante Electrónico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Página de inicio  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Descripción Electrónicos Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 1200 V, 75 A, 30 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package

SCTH100N120G2-AG Datasheet (PDF)

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SCTH100N120G2-AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

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Fabricante Electrónico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Descripción Electrónicos Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 1200 V, 75 A, 30 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package

SCTH100N120G2-AG Datasheet (HTML) - STMicroelectronics


SCTH100N120G2-AG Detalles de producto

Features
• AEC-Q101 qualified
• High speed switching performance
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitance

Applications
• Traction inverters
• DC-DC converters
• Solar inverters
• OBC

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device
features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching
performance. The variation of switching loss is almost independent of junction
temperature.




Número de pieza similar - SCTH100N120G2-AG

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STMicroelectronics		 SCTH100N65G2-7AG STMICROELECTRONICS-SCTH100N65G2-7AG Datasheet
623Kb / 15P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 95 A, 20 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
27-Nov-2018
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21-Nov-2018
SCTW100N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N120G2AG Datasheet
217Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package
23-Jul-2020
SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTW35N65G2VAG Datasheet
206Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
09-Sep-2020
SCTW60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW60N120G2AG Datasheet
197Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
18-May-2020
SCT070H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT070H120G3AG Datasheet
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SCT10N120AG STMICROELECTRONICS-SCT10N120AG Datasheet
238Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package
21-Sep-2022
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Acerca de STMicroelectronics

STMicroelectronics es un fabricante multinacional de electrónica y semiconductores con sede en Ginebra, Suiza.

La compañía ofrece una amplia gama de productos que incluyen microcontroladores, sensores, amplificadores de energía y circuitos integrados para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.

Fundada en 1987, Stmicroelectronics tiene operaciones en más de 100 países y es una de las compañías semiconductores más grandes del mundo.

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