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TGI7785-120L Datasheet (PDF) - Toshiba Semiconductor
TGI7785-120L Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor
No. de pieza TGI7785-120L
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Fabricante Electrónico  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Página de inicio  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor
Descripción Electrónicos MICROWAVE POWER GaN HEMT

TGI7785-120L Datasheet (PDF)

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TGI7785-120L Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor

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Fabricante Electrónico  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Página de inicio  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
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Descripción Electrónicos MICROWAVE POWER GaN HEMT

TGI7785-120L Datasheet (HTML) - Toshiba Semiconductor


TGI7785-120L Detalles de producto

FEATURES
･BROAD BAND INTERNALLY MATCHED HEMT
･HIGH POWER
Pout= 51.0dBm at Pin= 44.0dBm
･HIGH GAIN
GL= 11.0dB at Pin= 20.0dBm
･LOW INTERMODULATION DISTORTION
IM3(Min.)= -25dBc at Pout= 44.0dBm
Single Carrier Level
･HERMETICALLY SEALED PACKAGE




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