STH107N50FI Datasheet(PDF) - STMicroelectronics

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STH107N50FI Datasheet (PDF) - STMicroelectronics

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HIGH INJECTION N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS (IGBT)

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STH107N50FI Detalles de producto

• HIGH INPUT IMPEDANCE
• LOW ON-VOLTAGE
• HIGH CURRENT CAPABILITY

APPLICATIONS:
• AUTOMOTIVE IGNITION
• DRIVERS FOR SOLENOIDS AND RELAYS

N-channel High Injection POWER MOS transis-
tors (IGBT) which features a high impedance in-
sulated gate input and a low on-resistance
characteristic of bipolar transistors. This low
resistance is achieved by conductivity modulation
of the drain. These devices are particularly suited
to automative ignition switching. They can also be
used as drivers for solenoids and relays.

Número de pieza similar - STH107N50FI

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STMicroelectronics	STH10NA50	243Kb / 11P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR Nov-1996
Inchange Semiconductor ...	STH10NA50	316Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
STMicroelectronics	STH10NA50FI	243Kb / 11P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR Nov-1996

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Acerca de STMicroelectronics

STMicroelectronics es un fabricante multinacional de electrónica y semiconductores con sede en Ginebra, Suiza.

La compañía ofrece una amplia gama de productos que incluyen microcontroladores, sensores, amplificadores de energía y circuitos integrados para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.

Fundada en 1987, Stmicroelectronics tiene operaciones en más de 100 países y es una de las compañías semiconductores más grandes del mundo.

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