QPD1016LS1 Datasheet(PDF) - Qorvo, Inc

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QPD1016LS1 Datasheet (PDF) - Qorvo, Inc

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No. de pieza	QPD1016LS1

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Fabricante Electrónico	QORVO [Qorvo, Inc]

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Descripción Electrónicos

DC – 1.7 GHz, 50 V, 500 W GaN RF Transistor

QPD1016LS1 Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrónico	QORVO [Qorvo, Inc]

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Descripción Electrónicos	DC – 1.7 GHz, 50 V, 500 W GaN RF Transistor

QPD1016LS1 Datasheet (HTML) - Qorvo, Inc

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QPD1016LS1 Detalles de producto

Key Features
• Frequency: DC to 1.7 GHz
• Output Power (P3dB): 537 W
• Linear Gain: 18 dB
• Typical Drain Efficiency at 3 dB compresion: 67%
• Operating Voltage: 50 V
• CW and Pulse capable

Número de pieza similar - QPD1016LS1

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
TriQuint Semiconductor	QPD1016	1Mb / 25P	50 V, 500 W GaN RF Transistor
Qorvo, Inc	QPD1016	1Mb / 24P	DC ??1.7 GHz, 50 V, 500 W GaN RF Transistor August 17, 2018
TriQuint Semiconductor	QPD1016EVB01	1Mb / 25P	50 V, 500 W GaN RF Transistor
Qorvo, Inc	QPD1016EVB01	1Mb / 24P	DC ??1.7 GHz, 50 V, 500 W GaN RF Transistor August 17, 2018

Descripción similar - QPD1016LS1

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Cree, Inc	CGHV40050F	866Kb / 11P	50 W, DC - 4.0 GHz, 50 V, GaN HEMT Rev 1.0
TriQuint Semiconductor	QPD1016	1Mb / 25P	50 V, 500 W GaN RF Transistor
Cree, Inc	CGHV40050	2Mb / 11P	50 W, DC - 4.0 GHz, 50 V, GaN HEMT
Qorvo, Inc	TGF2977-SM	2Mb / 28P	DC ??12 GHz, 32 V, 5 W GaN RF Transistor
	TGF2933	4Mb / 24P	DC ??25 GHz, 28 V, 7 W GaN RF Transistor
	TGF2934	3Mb / 24P	DC ??25 GHz, 28 V, 14 W GaN RF Transistor
	QPD1881L	1Mb / 18P	400 W, 50 V, 2.7 ??2.9 GHz, GaN RF Power Transistor
	QPD1016	1Mb / 24P	DC ??1.7 GHz, 50 V, 500 W GaN RF Transistor August 17, 2018
	T1G4020036-FS	1Mb / 18P	DC ??3.5 GHz, 50 V, 2 x 200 W GaN RF Transistor September, 2021
WOLFSPEED, INC.	CGHV40050	2Mb / 11P	50 W, DC - 4.0 GHz, 50 V, GaN HEMT Rev. 2.4, 2022-12-2

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