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STPSC6H065BY-TR Datasheet (PDF) - STMicroelectronics
STPSC6H065BY-TR Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Fabricante Electrónico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Descripción Electrónicos Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

STPSC6H065BY-TR Datasheet (PDF)

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Descripción Electrónicos Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

STPSC6H065BY-TR Datasheet (HTML) - STMicroelectronics


STPSC6H065BY-TR Detalles de producto

Description
The SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost performance in hard switching conditions. Product status STPS6H065BY-TR Product summary

Features
■ AEC-Q101 qualified
■ No reverse recovery charge in application current range
■ Switching behavior independent of temperature
■ Recommended to PFC applications
■ PPAP capable
■ ECOPACK® 2 compliant component




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Acerca de STMicroelectronics

STMicroelectronics es un fabricante multinacional de electrónica y semiconductores con sede en Ginebra, Suiza.

La compañía ofrece una amplia gama de productos que incluyen microcontroladores, sensores, amplificadores de energía y circuitos integrados para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.

Fundada en 1987, Stmicroelectronics tiene operaciones en más de 100 países y es una de las compañías semiconductores más grandes del mundo.

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