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MRFG35005NT1 Datasheet (PDF) - Freescale Semiconductor, Inc

MRFG35005NT1 Datasheet PDF - Freescale Semiconductor, Inc
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Fabricante Electrónico  FREESCALE [Freescale Semiconductor, Inc]
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Descripción Electrónicos Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

MRFG35005NT1 Datasheet (PDF)

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MRFG35005NT1 Datasheet (HTML) - Freescale Semiconductor, Inc


MRFG35005NT1 Detalles de producto

3.5 GHz, 4.5 W, 12 V POWER FET GaAs PHEMT

Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB linear base station applications.

• Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts, IDQ = 80 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A
@ 0.01% Probability)
   Output Power — 450 mWatt
   Power Gain — 11 dB
   Efficiency — 25%
• 4.5 Watts P1dB @ 3.55 GHz
• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
• High Gain, High Efficiency and High Linearity
• N Suffix Indicates Lead-Free Terminations
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

CASE 466-03, STYLE 1 PLD-1.5 PLASTIC




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Acerca de Freescale Semiconductor, Inc


Freescale Semiconductor fue una compañía de semiconductores estadounidenses que fue fundada en 1948.
La compañía fue un proveedor líder de microcontroladores, sensores y otros productos de semiconductores para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.
Los productos de Freescale eran conocidos por su alto rendimiento, bajo consumo de energía y un pequeño factor de forma.
La compañía fue adquirida por NXP Semiconductores en 2015, y sus productos y tecnologías continúan desarrollándose y vendiendo bajo la marca NXP.

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