IXST15N120BD1 Datasheet(PDF) - IXYS Corporation

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IXST15N120BD1 Datasheet (PDF) - IXYS Corporation

IXST15N120BD1 Datasheet PDF - IXYS Corporation


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Descripción Electrónicos

S Series - Improved SCSOA Capability

IXST15N120BD1 Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrónico	IXYS [IXYS Corporation]

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Descripción Electrónicos	S Series - Improved SCSOA Capability

IXST15N120BD1 Datasheet (HTML) - IXYS Corporation

IXST15N120BD1 Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

IXST15N120BD1 Datasheet HTML 2Page - IXYS Corporation

IXST15N120BD1 Detalles de producto

HIGH Voltage IGBT with Diode

"S" Series - Improved SCSOA Capability

Features
• High Blocking Voltage
• Epitaxial Silicon drift region
- fast switching
- small tail current
- low switching losses
• MOS gate turn-on for drive simplicity
• Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Applications
• AC motor speed control
• DC servo and robot drives
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• DC choppers

Número de pieza similar - IXST15N120BD1

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
IXYS Corporation	IXST15N120B	58Kb / 2P	HIGH Voltage IGBT

Descripción similar - IXST15N120BD1

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
IXYS Corporation	IXSA15N120B	84Kb / 2P	S Series - Improved SCSOA Capability
IXYS Corporation	IXSH45N120B	58Kb / 2P	High Voltage IGBT S Series - Improved SCSOA Capability
Advanced Power Electron...	AP02N70EJ-HF	65Kb / 4P	ESD Improved Capability
Kersemi Electronic Co.,...	KSM4P25	1Mb / 7P	Improved dv/dt capability
Bruckewell Technology L...	MS75N075	441Kb / 4P	Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
Bruckewell Technology L...	MS85N06	725Kb / 3P	Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
Fairchild Semiconductor	FDD6N50TM_F085	946Kb / 8P	Improved dv/dt capability
Shoulder Electronics Li...	HDF480A1TO39	116Kb / 5P	Improved ESD capability by integrated shunt resistors
Shoulder Electronics Li...	HDF4802BTO39	131Kb / 7P	Improved ESD capability by integrated shunt resistors
First Silicon Co., Ltd	FTK3908Z	1Mb / 5P	Improved dv/dt capability

Acerca de IXYS Corporation

IXYS Corporation es una compañía de tecnología que se especializa en el diseño, fabricación y venta de semiconductores de energía y circuitos integrados (ICS). La compañía fue fundada en 1983 y tiene su sede en Milpitas, California. IXYS tiene una presencia global, con operaciones y clientes en más de 60 países de todo el mundo.

IXYS proporciona una amplia gama de productos y soluciones, que incluyen MOSFET de potencia, transistores bipolares de potencia, tiristores, diodos e ICS para aplicaciones de gestión y control de energía. Los productos de la compañía se utilizan en una variedad de aplicaciones, que incluyen energía renovable, industrial, automotriz y electrónica de consumo.

IXYS es conocido por su experiencia en tecnología de semiconductores de energía y su capacidad para proporcionar soluciones de alto rendimiento y rentables a sus clientes. La compañía está comprometida con la innovación, la investigación y el desarrollo y participa activamente en el desarrollo de nuevas tecnologías y soluciones para el mercado de semiconductores de poder. IXYS es un líder reconocido en el mercado de semiconductores de poder y continúa brindando productos y servicios de alta calidad a sus clientes.

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