IXFH52N30Q Datasheet(PDF) - IXYS Corporation

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IXFH52N30Q Datasheet (PDF) - IXYS Corporation

IXFH52N30Q Datasheet PDF - IXYS Corporation


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Descripción Electrónicos

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances

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Descripción Electrónicos	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances

IXFH52N30Q Datasheet (HTML) - IXYS Corporation

IXFH52N30Q Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

IXFH52N30Q Datasheet HTML 2Page - IXYS Corporation

IXFH52N30Q Detalles de producto

N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
Low Gate Charge and Capacitances

Features
• Low gate charge
• International standard packages
• EpoxymeetUL94V-0, flammability classification
• Low RDS (on) HDMOS™ process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Avalanche energy and current rated
• Fast intrinsic Rectifier

Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density

Número de pieza similar - IXFH52N30Q

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Inchange Semiconductor ...	IXFH52N30Q	372Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

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	IXFK38N80Q2	605Kb / 5P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
	IXFR12N100Q	33Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances
	IXFN38N100Q2	565Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
	IXFN100N25	78Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low
Infineon Technologies A...	SPP08P06P	843Kb / 10P	P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated Rev 1.5 2009-04-14
IXYS Corporation	IXTH28N50Q	177Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
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	IXFH36N55Q	171Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
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Acerca de IXYS Corporation

IXYS Corporation es una compañía de tecnología que se especializa en el diseño, fabricación y venta de semiconductores de energía y circuitos integrados (ICS). La compañía fue fundada en 1983 y tiene su sede en Milpitas, California. IXYS tiene una presencia global, con operaciones y clientes en más de 60 países de todo el mundo.

IXYS proporciona una amplia gama de productos y soluciones, que incluyen MOSFET de potencia, transistores bipolares de potencia, tiristores, diodos e ICS para aplicaciones de gestión y control de energía. Los productos de la compañía se utilizan en una variedad de aplicaciones, que incluyen energía renovable, industrial, automotriz y electrónica de consumo.

IXYS es conocido por su experiencia en tecnología de semiconductores de energía y su capacidad para proporcionar soluciones de alto rendimiento y rentables a sus clientes. La compañía está comprometida con la innovación, la investigación y el desarrollo y participa activamente en el desarrollo de nuevas tecnologías y soluciones para el mercado de semiconductores de poder. IXYS es un líder reconocido en el mercado de semiconductores de poder y continúa brindando productos y servicios de alta calidad a sus clientes.

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