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Fabricante Electrónico


IRF740 Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "IRF740" - Total : 133 ( 1/7 Page)
Fabricante ElectrónicoNo. de piezaDatasheetDescripción Electrónicos
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STMicroelectronics		 IRF740 STMICROELECTRONICS-IRF740 Datasheet
93Kb/8P 		N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
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Vishay Siliconix		 IRF740 VISHAY-IRF740 Datasheet
157Kb/8P 		Power MOSFET
Rev. D, 16-Aug-2021
IRF740 VISHAY-IRF740 Datasheet
135Kb/8P 		Power MOSFET
S-81291-Rev. A, 16-Jun-08
IRF740 VISHAY-IRF740 Datasheet
276Kb/9P 		Power MOSFET
Rev. C, 21-Mar-11
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ARTSCHIP ELECTRONICS CO...		 IRF740 ARTSCHIP-IRF740 Datasheet
345Kb/5P 		N-Channel Power MOSFETs
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Fairchild Semiconductor		 IRF740 FAIRCHILD-IRF740 Datasheet
154Kb/5P 		N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V
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Inchange Semiconductor ...		 IRF740 ISC-IRF740 Datasheet
279Kb/2P 		isc N-Channel MOSFET Transistor
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Fairchild Semiconductor		 IRF740 FAIRCHILD-IRF740 Datasheet
894Kb/10P 		400V N-Channel MOSFET
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Intersil Corporation		 IRF740 INTERSIL-IRF740 Datasheet
56Kb/7P 		10A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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Suntac Electronic Corp.		 IRF740 SUNTAC-IRF740 Datasheet
100Kb/3P 		POWER MOSFET
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Dc Components		 IRF740 DCCOM-IRF740 Datasheet
209Kb/2P 		TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
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Nell Semiconductor Co.,...		 IRF740 NELLSEMI-IRF740 Datasheet
342Kb/7P 		N-Channel Power MOSFET
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New Jersey Semi-Conduct...		 IRF740 NJSEMI-IRF740 Datasheet
71Kb/2P 		N-Channel MOSFET Transistor
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First Components Intern...		 IRF740 FCI-IRF740 Datasheet
444Kb/3P 		10A 400V N CHANNEL POWER MOSFET
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List of Unclassifed Man...		 IRF740 ETC2-IRF740 Datasheet
2Mb/31P 		SEMICONDUCTORS
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Analog Devices		 IRF7401 AD-IRF7401 Datasheet
416Kb/24P 		Thermoelectric Cooler Controller
REV. C
IRF7401 AD-IRF7401 Datasheet
279Kb/22P 		Thermoelectric Cooler Controller
REV. D
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International Rectifier		 IRF7401 IRF-IRF7401 Datasheet
118Kb/9P 		Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.022ohm)
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EVER SEMICONDUCTOR CO.,...		 IRF7401 EVVOSEMI-IRF7401 Datasheet
402Kb/8P 		N-Channel MOSFET
Rev:2023A2
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Guangdong Youtai Semico...		 IRF7401 UMW-IRF7401 Datasheet
408Kb/8P 		N-Channel MOSFET

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IRF740 Datasheet, PDF [Reseller]

ResellerNo. de pieza Fabricante Electrónico
Datasheet		Descripción ElectrónicosBuy Now
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Element14		 IRF7402PBF

part		 INFINEON

 MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.8A; Drain Source Volta...
IRF740HPBF

part		 VISHAY

 MOSFET, N-CH, 400V, 9.4A, TO-220AB;

IRF740 Reseller
ResellerNo. de piezaFabricante ElectrónicoDescripción ElectrónicosPriceQty.
BuyNow



Breve descripción de IRF740

El IRF740 es un Power MOSFET (transistor de efecto de campo-óxido de metal-óxido-semiconductor) comúnmente utilizado en circuitos electrónicos para aplicaciones de conmutación de alta potencia y amplificación. Es parte de la serie IRF de MOSFET de potencia y es conocido por su capacidad para manejar altas corrientes y voltajes. Aquí hay algunas características clave y especificaciones del IRF740 MOSFET:

Polaridad: N-canal.

El IRF740 es un MOSFET de canal N, lo que significa que utiliza el flujo de electrones para controlar la corriente eléctrica.
Voltaje de fuente de drenaje (VDS): típicamente clasificado a 400 V.

El voltaje máximo que se puede aplicar entre el drenaje y los terminales de la fuente cuando el MOSFET está en el estado fuera del estado.
Corriente de drenaje continuo (ID): típicamente clasificado a 10a.

La corriente máxima que el MOSFET puede manejar continuamente en el estado ON.
Resistencia (RDS (ON): típicamente baja, a menudo en el rango de miliohms.

La resistencia entre el drenaje y los terminales de la fuente cuando el MOSFET está completamente encendido.
Voltaje de umbral de puerta (VGS (TH)): típicamente alrededor de 2V a 4V.

El voltaje requerido para encender el MOSFET.
Voltaje de fuente de puerta (VGS): generalmente clasificado hasta ± 20V.

El voltaje máximo que se puede aplicar entre la puerta y los terminales de fuente.
Paquete: el IRF740 generalmente está disponible en paquetes TO20 o TO20B, que proporcionan un buen rendimiento térmico y facilidad de montaje a los disipadores de calor para el enfriamiento.

Aplicaciones: El IRF740 MOSFET se usa comúnmente en aplicaciones de alta potencia, como suministros de alimentación de conmutación, circuitos de control del motor, etapas de salida del amplificador y otras aplicaciones que requieren conmutación de alta corriente.

Disipación de calor: el IRF740 puede generar calor durante la operación, por lo que puede ser necesario un manejo térmico adecuado, incluido el consumo de calor, para aplicaciones de alta potencia.

Calificación de energía de avalancha: el IRF740 tiene una calificación de energía de avalancha, que especifica la cantidad de energía que el MOSFET puede absorber de manera segura durante los picos de voltaje transitorio.

equivalente para IRF740

El IRF740 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, que presenta un voltaje máximo de fuente de drenaje de 400 V y una corriente de drenaje continua de 10 A. Varios MOSFET ofrecen características similares y pueden servir como reemplazos:

IRF740A:

Voltaje máximo de fuente de drenaje: 400 V
Corriente de drenaje continuo: 10A
Carga total de puerta: 36 nC
Paquete: TO-220AB
IRF740LC:

Voltaje máximo de fuente de drenaje: 400 V
Corriente de drenaje continuo: 10A
Baja capacitancia para mejorar el rendimiento de conmutación
Paquete: TO-220AB
IRFB13N50A:

Voltaje máximo de fuente de drenaje: 500 V
Corriente de drenaje continuo: 13A
Carga total de puerta: 94 nC
Paquete: TO-220AB
IRFB17N50L:

Voltaje máximo de fuente de drenaje: 500 V
Corriente de drenaje continuo: 17A
Baja resistencia para una conmutación eficiente
Paquete: TO-220AB
Al seleccionar un reemplazo, considere los siguientes factores:

Clasificaciones de voltaje y corriente: asegúrese de que el MOSFET sustituto pueda manejar los niveles de voltaje y corriente requeridos en su circuito.
Resistencia activa (RDS(on)): una menor resistencia activa da como resultado una mayor eficiencia y una menor generación de calor.
Carga de puerta: una carga total de puerta más baja puede generar tiempos de conmutación más rápidos y una reducción de la pérdida de energía.
Tipo de paquete y configuración de pines: confirme que el paquete físico y la distribución de pines sean compatibles con el diseño de su circuito.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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