MRF18085ALR3 Datasheet(PDF)

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MRF18085ALR3 Datasheet (PDF) - Freescale Semiconductor, Inc


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RF Power Field Effect Transistors

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MRF18085ALR3 Detalles de producto

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications. Specified for GSM - GSM EDGE 1805-1880 MHz.

• GSM and GSM EDGE Performance, Full Frequency Band (1805-1880 MHz)
Power Gain - 15 dB (Typ) @ 85 Watts CW
Efficiency - 52% (Typ) @ 85 Watts CW
• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1840 MHz, 85 Watts CW Output Power

Features
• Internally Matched for Ease of Use
• High Gain, High Efficiency and High Linearity
• Integrated ESD Protection
• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
• Excellent Thermal Stability
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
• Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40μ″ Nominal.
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

Número de pieza similar - MRF18085ALR3

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
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Acerca de Freescale Semiconductor, Inc

Freescale Semiconductor fue una compañía de semiconductores estadounidenses que fue fundada en 1948.
La compañía fue un proveedor líder de microcontroladores, sensores y otros productos de semiconductores para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.
Los productos de Freescale eran conocidos por su alto rendimiento, bajo consumo de energía y un pequeño factor de forma.
La compañía fue adquirida por NXP Semiconductores en 2015, y sus productos y tecnologías continúan desarrollándose y vendiendo bajo la marca NXP.

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