VSMY98145DS Datasheet(PDF) - Vishay Siliconix

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VSMY98145DS Datasheet (PDF) - Vishay Siliconix

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Fabricante Electrónico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Descripción Electrónicos

High Power Infrared Emitting Diode, 810 nm, Surface Emitter Technology

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Fabricante Electrónico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Descripción Electrónicos	High Power Infrared Emitting Diode, 810 nm, Surface Emitter Technology

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VSMY98145DS Detalles de producto

• Package type: surface mount
• Double stack technology
• Package form: high power QFN with lens
• Dimensions (L x W x H in mm): 3.85 x 3.85 x 2.24
• Peak wavelength: λp = 810 nm
• Zener diode for ESD protection up to 2 kV
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 45°
• Designed for high drive currents: up to 1 A (DC) and up to
5 A pulses
• Low thermal resistance: RthJA = 10 K/W
• Floor life: 168 h, MSL 3, according to J-STD-020
• Lead (Pb)-free reflow soldering

Número de pieza similar - VSMY98145DS

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Vishay Siliconix	VSMY98145DS	205Kb / 6P	High Power Infrared Emitting Diode, 810 nm, Surface Emitter Technology 01-Jan-2022
	VSMY98145DS	204Kb / 6P	High Power Infrared Emitting Diode, 810 nm, Surface Emitter Technology 01-Jan-2023
	VSMY98145DS	205Kb / 6P	High Power Infrared Emitting Diode, 810 nm, Surface Emitter Technology 01-Jan-2022
	VSMY98145DS	204Kb / 6P	High Power Infrared Emitting Diode, 810 nm, Surface Emitter Technology 01-Jan-2023

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	VSMY7850X01	128Kb / 6P	High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology Rev. 1.0, 31-Mar-11
	VSMY7852X01	150Kb / 7P	High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology Rev. 1.7, 06-Apr-17
	VSMY98545	216Kb / 7P	High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm,Surface Emitter Technology Rev. 1.3, 01-Jul-16
	VSMA1094250	199Kb / 8P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, Surface Emitter Technology 01-Jan-2022
	VSMY98545	221Kb / 7P	High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology 01-Jan-2022
	VSMA1094600	192Kb / 8P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, Surface Emitter Technology 01-Jan-2022
	VSMY98545DS	253Kb / 7P	High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm,Surface Emitter Technology Rev. 1.0, 08-May-15
	VSMY9854535	257Kb / 7P	High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology Rev. 1.0, 01-Jul-16

Acerca de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix es una subsidiaria de Vishay Intertechnology, un fabricante global de componentes electrónicos pasivos.
Vishay Siliconix se especializa en el diseño, la fabricación y la comercialización de MOSFET de potencia, IGBTS y otros semiconductores de poder.
La compañía fue fundada en 1962 y tiene su sede en Santa Clara, California.
Vishay Siliconix proporciona soluciones de energía para una variedad de aplicaciones, incluidos sistemas de energía renovable, equipos industriales, informática y telecomunicaciones, y electrónica automotriz.
Los productos de la compañía están diseñados para alta eficiencia, bajo consumo de energía y alta confiabilidad, y se fabrican en instalaciones de última generación utilizando procesos de fabricación avanzados.
Con un enfoque en la innovación y la satisfacción del cliente, Vishay Siliconix se compromete a proporcionar a sus clientes las mejores soluciones de gestión de energía para satisfacer sus necesidades.

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