VSML3710 Datasheet(PDF) - Vishay Siliconix

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VSML3710 Datasheet (PDF) - Vishay Siliconix

VSML3710 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


No. de pieza	VSML3710

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Fabricante Electrónico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Descripción Electrónicos

High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW

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No. de pieza	VSML3710

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Fabricante Electrónico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de inicio	http://www.vishay.com

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Descripción Electrónicos	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW

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VSML3710 Detalles de producto

• Package type: surface mount
• Package form: PLCC-2
• Dimensions (L x W x H in mm): 3.5 x 2.8 x 1.75
• Peak wavelength: λp = 940 nm
• High reliability
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 60°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Package matched with IR emitter series VEMT3700
• Floor life: 168 h, MSL 3, acc. J-STD-020
• Lead (Pb)-free reflow soldering
• AEC-Q101 qualified

Número de pieza similar - VSML3710

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Vishay Siliconix	VSML3710	146Kb / 8P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm RoHS Compliant, Released for Lead (Pb)-free Solder Process Rev. 1.2, 25-Jan-07
	VSML3710	141Kb / 6P	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs Rev. 1.3, 04-Sep-08
	VSML3710	142Kb / 6P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs Rev. 1.4, 03-Nov-09
	VSML3710	138Kb / 7P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 01-Jan-2022
	VSML3710	137Kb / 7P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 01-Jan-2023

Descripción similar - VSML3710

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Vishay Siliconix	TSAL4400	114Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW Rev. 1.9, 03-Nov-16
	TSAL6200	110Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW Rev. 2.4, 13-Mar-14
	TSAL6100	108Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 01-Jan-2022
	VSML3710	138Kb / 7P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 01-Jan-2022
	TSAL6200	108Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 01-Jan-2023
	TSML1000	198Kb / 9P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW Rev. 2.1, 13-Mar-14
	TSML1040	164Kb / 9P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 01-Jan-2023
	VSML3710	137Kb / 7P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 01-Jan-2023
	TSAL6100UL	116Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW Rev. 1.0, 16-Jun-16
	TSML1000	196Kb / 9P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 01-Jan-2022

Acerca de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix es una subsidiaria de Vishay Intertechnology, un fabricante global de componentes electrónicos pasivos.
Vishay Siliconix se especializa en el diseño, la fabricación y la comercialización de MOSFET de potencia, IGBTS y otros semiconductores de poder.
La compañía fue fundada en 1962 y tiene su sede en Santa Clara, California.
Vishay Siliconix proporciona soluciones de energía para una variedad de aplicaciones, incluidos sistemas de energía renovable, equipos industriales, informática y telecomunicaciones, y electrónica automotriz.
Los productos de la compañía están diseñados para alta eficiencia, bajo consumo de energía y alta confiabilidad, y se fabrican en instalaciones de última generación utilizando procesos de fabricación avanzados.
Con un enfoque en la innovación y la satisfacción del cliente, Vishay Siliconix se compromete a proporcionar a sus clientes las mejores soluciones de gestión de energía para satisfacer sus necesidades.

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