IRGPH50F Datasheet(PDF) - International Rectifier

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IRGPH50F Datasheet (PDF) - International Rectifier

IRGPH50F Datasheet PDF - International Rectifier


No. de pieza	IRGPH50F

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Tamaño del archivo	267.29 Kbytes

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

Página de inicio	http://www.irf.com

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Descripción Electrónicos

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

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Descripción Electrónicos	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)

IRGPH50F Datasheet (HTML) - International Rectifier

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IRGPH50F Detalles de producto

Description
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, highcurrent applications.

Features
• Switching-loss rating includes all "tail" losses
• Optimized for medium operating frequency (1 to 10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

Número de pieza similar - IRGPH50F

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
International Rectifier	IRGPH50F	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours
	IRGPH50FD2	431Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
	IRGPH50FD2	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours

Descripción similar - IRGPH50F

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
International Rectifier	IRGPH40M	84Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=18A)
	IRGPH50M	255Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)
	IRGBC40K	237Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=25A)
	IRGPH50S	96Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=33A)
	IRGPH20S	240Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=6.6A)
	IRGPH40F	255Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A)
	IRGPH30S	82Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=13A)
	IRGPH40S	82Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRGPH20M	240Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=4.5A)
	IRGPH50FD2	431Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)

Acerca de International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

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