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GT100DA120U Datasheet (PDF) - Vishay Siliconix
GT100DA120U Datasheet PDF - Vishay Siliconix
No. de pieza GT100DA120U
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Fabricante Electrónico  VISHAY [Vishay Siliconix]
Página de inicio  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Descripción Electrónicos Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 100 A

GT100DA120U Datasheet (PDF)

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GT100DA120U Datasheet PDF - Vishay Siliconix

No. de pieza GT100DA120U
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Fabricante Electrónico  VISHAY [Vishay Siliconix]
Página de inicio  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Descripción Electrónicos Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 100 A

GT100DA120U Datasheet (HTML) - Vishay Siliconix

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GT100DA120U Detalles de producto

FEATURES

• Trench IGBT technology with positive temperature coefficient

• Square RBSOA

• 10 μs short circuit capability

•HEXFRED® antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery

•TJmaximum = 150 °C

• Fully isolated package

• Very low internal inductance (5 nH typical)

• Industry standard outline

• UL approved file E78996

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC



BENEFITS

• Designed for increased operating efficiency in power conversion: UPS, SMPS, welding, induction heating

• Easy to assemble and parallel

• Direct mounting to heatsink

• Plug-in compatible with other SOT-227 packages

• Speed 4 kHz to 30 kHz

• Very low VCE(on)

• Low EMI, requires less snubbing



 




Número de pieza similar - GT100DA120U

Fabricante ElectrónicoNo. de piezaDatasheetDescripción Electrónicos
logo
Vishay Siliconix		 GT100DA120U VISHAY-GT100DA120U Datasheet
176Kb / 10P		    Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 100 A
02-Oct-12
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Fabricante ElectrónicoNo. de piezaDatasheetDescripción Electrónicos
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175Kb / 10P		    Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 100 A
Revision: 22-Jul-10
GT100DA60U VISHAY-GT100DA60U_V01 Datasheet
178Kb / 10P		    Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 100 A
02-Oct-12
VS-GT100DA120U VISHAY-VS-GT100DA120U Datasheet
176Kb / 10P		    Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 100 A
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VS-GT180DA120U VISHAY-VS-GT180DA120U Datasheet
187Kb / 10P		    Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 180 A
01-Jan-2022
VS-GT80DA120U VISHAY-VS-GT80DA120U Datasheet
186Kb / 10P		    Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 80 A
01-Jan-2022
VS-GT140DA60U VISHAY-VS-GT140DA60U_V02 Datasheet
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01-Jan-2023
VS-GT80DA120U VISHAY-VS-GT80DA120U_V01 Datasheet
185Kb / 10P		    Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 80 A
01-Jan-2023
VS-GT140DA60U VISHAY-VS-GT140DA60U Datasheet
295Kb / 10P		    Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 140 A
Revision: 31-May-16
VS-GT140DA60U VISHAY-VS-GT140DA60U_V01 Datasheet
190Kb / 10P		    Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 140 A
01-Jan-2022
VS-GT200SA60UP VISHAY-VS-GT200SA60UP_V01 Datasheet
176Kb / 8P		    Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 200 A
01-Jan-2023
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Acerca de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix es una subsidiaria de Vishay Intertechnology, un fabricante global de componentes electrónicos pasivos.
Vishay Siliconix se especializa en el diseño, la fabricación y la comercialización de MOSFET de potencia, IGBTS y otros semiconductores de poder.
La compañía fue fundada en 1962 y tiene su sede en Santa Clara, California.
Vishay Siliconix proporciona soluciones de energía para una variedad de aplicaciones, incluidos sistemas de energía renovable, equipos industriales, informática y telecomunicaciones, y electrónica automotriz.
Los productos de la compañía están diseñados para alta eficiencia, bajo consumo de energía y alta confiabilidad, y se fabrican en instalaciones de última generación utilizando procesos de fabricación avanzados.
Con un enfoque en la innovación y la satisfacción del cliente, Vishay Siliconix se compromete a proporcionar a sus clientes las mejores soluciones de gestión de energía para satisfacer sus necesidades.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




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