IRF7604PBF Datasheet(PDF) - International Rectifier

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IRF7604PBF Datasheet (PDF) - International Rectifier

IRF7604PBF Datasheet PDF - International Rectifier


No. de pieza	IRF7604PBF

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

Página de inicio	http://www.irf.com

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Descripción Electrónicos

HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.09廓 )

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

Página de inicio	http://www.irf.com

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Descripción Electrónicos	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.09廓 )

IRF7604PBF Datasheet (HTML) - International Rectifier

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IRF7604PBF Detalles de producto

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Generation V Technology
● Ultra Low On-Resistance
● P-Channel MOSFET
● Very Small SOIC Package
● Low Profile (<1.1mm)
● Available in Tape & Reel
● Fast Switching
● Lead-Free

Número de pieza similar - IRF7604PBF

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
International Rectifier	IRF7604	134Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.09ohm)

Descripción similar - IRF7604PBF

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
International Rectifier	IRF7404QPBF	260Kb / 9P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.040廓 )
	IRLR3714PBF	227Kb / 11P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20m廓 , ID = 36A )
	IRF7457PBF	177Kb / 8P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 7.0m廓 , ID = 15A )
	IRF7303PBF	230Kb / 9P	HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.050廓 )
	IRFP3710PBF	233Kb / 9P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.025廓 , ID = 57A )
	IRFZ48RSPBF	255Kb / 10P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 0.018廓 , ID = 50A )
	IRFD9110PBF	1Mb / 8P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 1.2廓 , ID = -0.70A )
	IRL640PBF	930Kb / 8P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.18廓 , ID = 17A )
	IRF630PBF	2Mb / 8P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40廓 , ID = 9.0A )
	IRFR9210PBF	1Mb / 10P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -200V , RDS(on) = 3.0廓 , ID = -1.9A )

Acerca de International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

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